1.一种磷酸根离子吸附型高分子/无机杂化印迹材料，其特征在于：所述材料为核壳结构，所述核壳结构是以磷酸根离子印迹介孔二氧化硅为核，并以网络结构的PNIPAM为壳，核壳间通过3‑(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷单元连接；

所述的磷酸根离子吸附型高分子/无机杂化印迹材料通过如下方法制得，步骤（1）：将十六烷基三甲基溴化铵和氢氧化钠倒入容器中，倒入溶剂，磁力搅拌并油浴加热至反应温度，待温度稳定至少15分钟之后，加入十二水磷酸钠，然后依次逐滴加入正硅酸乙酯、3‑氨丙基三乙氧基硅烷和乙醇，在反应温度下磁力搅拌反应，制得白色溶液，反应体系固含量为2 5g/L；白色溶液用循环水式真空泵抽滤得白色粉末，45 60 ℃下真空烘~ ~

干，烘干后的粉末用体积比为1:100的稀盐酸和甲醇溶液通过索氏抽提将磷酸盐脱除，索氏抽提完毕之后，将粉末置于真空烘箱在45 60 ℃下烘干，得到磷酸根离子印迹的介孔二氧~

化硅微球；

步骤（2）：称取步骤(1)制备的磷酸根离子印迹的介孔二氧化硅加入反应容器中，滴加

3‑(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷，加入溶剂并控制固含量为2~5g/L，通N2，磁力搅拌，

25 60 ℃下反应，得到改性的磷酸根离子印迹的介孔二氧化硅，离心再用去离子水冲洗之~

后，真空烘箱45 60℃下烘干；将烘干的改性的磷酸根离子印迹介孔二氧化硅加入溶剂并置~

于超声清洗机里振荡至均匀分散，之后油浴加热到反应温度，加入过硫酸钾，磁力搅拌，通N2，至少15分钟之后，加入N‑异丙基丙烯酰胺，在反应温度下反应制得乳白色的溶液，反应体系固含量为2~5g/L，再用透析袋提纯除去未反应的分子，最终得到PNIPAM@SiO2核壳结构纳米球。

2.如权利要求1所述的磷酸根离子吸附型高分子/无机杂化印迹材料，其特征在于，步骤（1）中所述的反应温度为80 ℃，温度稳定15分钟之后再加入十二水磷酸钠，然后依次逐滴加入正硅酸乙酯、3‑氨丙基三乙氧基硅烷和乙醇，反应24 h制得白色溶液；抽滤后的白色粉末在60 ℃下真空烘干，索氏抽提时间为24小时；索氏抽提完毕之后，将粉末置于真空烘箱在60 ℃下烘干；步骤（2）中制备改性的磷酸根离子印迹的介孔二氧化硅的反应温度为25 ℃，反应时间为24小时，经离心冲洗之后，真空烘箱45℃下烘干；制备PNIPAM@SiO2核壳结构纳米球过程中，反应温度为70℃，加入N‑异丙基丙烯酰胺后控制反应时间为12小时，制得的乳白色的溶液，用透析袋提纯24h，每隔8  12h换一次水。

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3.如权利要求1所述的磷酸根离子吸附型高分子/无机杂化印迹材料，其特征在于：步骤（1）中所述的十六烷基三甲基溴化铵、氢氧化钠、十二水磷酸钠、正硅酸乙酯、3‑氨丙基三乙氧基硅烷和乙醇的质量比为10:1 3:1 4:3 4:1 2:1 3；所述步骤（2）中N‑异丙基丙烯酰~ ~ ~ ~ ~

胺、磷酸根离子印迹的介孔二氧化硅、3‑(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、过硫酸钾的质量比为10:4 9: 1 3:1 3。

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4.如权利要求1所述的磷酸根离子吸附型高分子/无机杂化印迹材料，其特征在于：所述步骤（1）和（2）中，溶剂均为去离子水。

5.如权利要求1所述的磷酸根离子吸附型高分子/无机杂化印迹材料，其特征在于：步骤（2）中所制得的PNIPAM@SiO2核壳结构纳米球粒径在100~800nm，Zeta电位在‑30~10mV。

6.一种针对如权利要求1至5中任一项所述的磷酸根离子吸附型高分子/无机杂化印迹材料对磷酸根离子吸附性的检测方法，其特征在于：配制磷酸根溶液于容器中，将该容器置于磁力搅拌器上，加入转子，设置温度为30℃，随后将装有PNIPAM@SiO2核壳结构纳米球透析袋置于磷酸根溶液中进行吸附，并用保鲜膜将烧杯口密封，吸附时长为20h，吸附完毕之后，通过磷钼蓝法测定吸附前后容器中磷酸根离子浓度的变化。

7.如权利要求6所述的磷酸根离子吸附型高分子/无机杂化印迹材料对磷酸根离子吸附性的检测方法，其特征在于：磷酸根溶液制备方法为，将十二水磷酸钠粉末溶于去离子水中，直到磷酸根浓度达0.03mg/mL 0.30mg/mL。

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8.如权利要求1至5中任一项所述的磷酸根离子吸附型高分子/无机杂化印迹材料在磷酸根离子的吸附、分离或回收中的应用。