1.一种叉指型背接触异质结太阳电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(a) 对单晶硅基体进行清洗、去除损伤层、制绒；

(b) 处理后的单晶硅基体采用PECVD制备正面本征非晶硅钝化层；

(c) PECVD法沉积正面N型非晶硅层作为太阳电池的前表面场；

(d) 在正面N型非晶硅层上用PECVD法沉积减反层；

(e) 单晶硅基体的背面采用PECVD法沉积背面本征非晶硅钝化层，使其覆盖整个背面区域；

(f) 以乙硼烷或三甲基硼烷作为掺杂气体、氢气为载气和稀释气体、硅烷作为反应气体，借助掩膜工艺通过PECVD法沉积P型非晶硅层作为发射极；

(g) 借助掩膜工艺通过PECVD法沉积绝缘隔离层；

(h) 通过光刻技术，按照预设的隔离层宽度进行刻蚀，完成对P型非晶硅层与N型非晶硅层之间绝缘隔离层的制备；

(i) 在上述太阳电池背表面的基础上，以磷烷作为掺杂气体、氢气为载气和稀释气体、硅烷为反应气体，借助掩膜工艺通过PECVD法沉积N型非晶硅层作为背面场；

(j) 在所述的P型非晶硅层和N型非晶硅层表面采用掩膜工艺通过PVD或CVD法沉积透明导电氧化物薄膜，作为导电层；

(k) 在所述透明导电氧化物薄膜上采用掩膜工艺通过PVD的方式沉积金属电极，完成太阳电池的制备;采用一步光刻法与掩膜法相结合的工艺制备HBC电池背面结构图形。

2.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触异质结太阳电池制备方法，其特征在于，步骤(a)具体步骤依次为：RCA标准清洗，清除硅片表面的颗粒及有机物；硅片清洗后再放入

20％的NaOH碱溶液中，去除切片工艺中造成的表面损伤层；浸入NaOH、Na2SiO3、IPA 混合溶液中进行制绒；使用HCL对制绒后的硅片表面进行酸洗，以中和残留在硅片表面的碱液、去除硅片表面残留的金属杂质；采用HF溶液清洗硅片，以去除硅片表面的二氧化硅层并与硅片表面的悬挂键形成Si-H 钝化键，最后氮气烘干备用。

3.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触异质结太阳电池制备方法，其特征在于，所述绝缘隔离层材料由氮化物、氧化物、非晶硅的一种或多种构成，绝缘隔离层的宽度为10-

50µm。

4.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触异质结太阳电池制备方法，其特征在于，步骤(b)至步骤(j)中采用PECVD法完成的步骤均用热丝CVD法实现。

5.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触异质结太阳电池制备方法，其特征在于：步骤(f)与步骤(i)所述工艺的顺序可根据实际情况调换；步骤(b)、步骤(c)、步骤(d)可在步骤(e)、步骤(f)、步骤(g)、步骤(h)、步骤(i)、步骤(j)或步骤(k)之前或然后进行。

6.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触异质结太阳电池制备方法，其特征在于，步骤(f)所需的掩膜板的图案设计基于所需的P型非晶硅层对图案的要求，步骤(i)所需的掩膜板的图案设计基于所需的N型非晶硅层对图案的要求；其掩膜板材料为金属或石英。

7.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触异质结太阳电池制备方法，其特征在于，背面透明导电氧化物薄膜厚度为80-150nm，其材料为ITO、AZO、IWO、FTO以及GZO薄膜中的一种或多种叠层构成，所述的金属电极材料为铝、银、铜或金属合金。

8.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触异质结太阳电池制备方法，其特征在于，正面本征非晶硅钝化层厚度为1-15nm，正面N型非晶硅层前表面场厚度为1-15nm，背面本征非晶硅钝化层厚度为1-15nm，所述的背面N型非晶硅层的厚度为10-100nm，所述的背面P型非晶硅层的厚度为10-100nm。

9.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触异质结太阳电池制备方法，其特征在于，减反层厚度为50-200nm，其材料为氮化硅薄膜、氧化硅薄膜或者是由氮化硅薄膜及氧化硅薄膜构成的叠层。