1.一种聚偏氟乙烯和超高分子量聚乙烯共混微孔膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将超高分子量聚乙烯在60℃下烘2～3h，将聚偏氟乙烯在90℃下烘2～3h；

S2、将步骤S1所得的聚偏氟乙烯、超高分子量聚乙烯与抗氧剂、稀释剂混合，常温下搅拌1～2h，获得分散均匀的悬浊液；

S3、将步骤S2所得的悬浊液喂入双螺杆挤出机，所述双螺杆挤出机为6区分段加热，其中加热区1～6温度依次为130℃、140℃、160℃、175℃、190～220℃、200～230℃，出料口温度为200～250℃；将从出料口挤出的铸膜冻胶直接注入金属模具中进行注塑成型，模具温度与双螺杆挤出机出料口温度相同，模具的模腔表面具有微棱镜阵列式结构，而后将注有铸膜冻胶的模具置于0～100℃水介质中冷却得到初生冻胶膜；

S4、将步骤S3所得初生冻胶膜经萃取去除稀释剂后置于冷冻干燥机中干燥12h以上，得到聚偏氟乙烯/超高分子量聚乙烯干态共混微孔膜。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述微棱镜阵列式结构的循环尺寸为20～200μm；进一步，所述微棱镜阵列式结构的循环尺寸为50～100μm。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S4之后包括步骤S5：以步骤S4所得聚偏氟乙烯/超高分子量聚乙烯干态共混微孔膜为基材，利用磁控溅射技术在其表面进行表面改性处理。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射技术为射频磁控溅射；以聚四氟乙烯、聚全氟乙丙烯、聚偏氟乙烯或石墨为靶材，溅射功率为100～200W，溅射时间为

30s～30min，溅射压力0.1～1Pa。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，制备得到的共混微孔膜的厚度为0.30～

1.50mm。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，稀释剂为邻苯二甲酸二丁酯和石蜡油的共混物；

将步骤S3所得初生冻胶膜经四道萃取后置于冷冻干燥机中干燥，所述四道萃取为：浸入无水乙醇中12～24h进行一道萃取；置于120号汽油中12～24h进行二道萃取；置于无水乙醇中6～12h进行三道萃取；置于去离子水中浸泡24～48h进行四道萃取。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述共混微孔膜由以下组分制成：各组分之和为100wt％。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，抗氧剂为β-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸十八碳醇酯，其与超高分子量聚乙烯的质量比为1:10。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，制得的共混微孔膜用于膜分离技术。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，制得的共混微孔膜用于膜蒸馏技术、膜萃取技术或气态膜分离技术。

11.一种聚偏氟乙烯和超高分子量聚乙烯共混微孔膜，由权利要求1～10任一项所述制备方法制备得到。