1.一种Cu2O基多层光电阴极薄膜材料的制备方法，其特征在于该方法由下述步骤组成：(1)在清洗干净的FTO导电玻璃上离子溅射沉积一层Au纳米层，然后电化学沉积一层Cu2O；

(2)在沉积Cu2O后的FTO导电玻璃上先磁控溅射沉积一层金属或金属的氧化物纳米层，然后浸渍于含S2-的水溶液中，浸渍完后退火，得到Cu2O基多层光电阴极薄膜材料。

或先将沉积Cu2O后的FTO导电玻璃浸渍于含S2-的水溶液中，浸渍完后退火，然后再磁控溅射沉积一层金属或金属的氧化物纳米层，得到Cu2O基多层光电阴极薄膜材料；

2.根据权利要求1所述的Cu2O基多层光电阴极薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述的金属为Mn、Ni、Co或Fe。

3.根据权利要求1所述的Cu2O基多层光电阴极薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述的金属或金属的氧化物纳米层的厚度为5～20nm。

4.根据权利要求3所述的Cu2O基多层光电阴极薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述磁控溅射沉积金属或金属的氧化物纳米层的Ar压力为1～5mTorr，沉积功率为

10～50W，沉积时间为20s～5min。

5.根据权利要求1所述的Cu2O基多层光电阴极薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述含S2-的水溶液为硫化钠、硫脲、硫化铵中任意一种或两种以上的水溶液，其中S2-浓度为1mmol/L～0.1mol/L，浸渍时间控制在20s～5min。

6.根据权利要求1所述的Cu2O基多层光电阴极薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述退火温度为200～300℃，退火时间为1～3h。

7.根据权利要求1～6任意一项所述的Cu2O基多层光电阴极薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，电化学沉积Cu2O的参比电极选用Ag/AgCl(饱和KCl)，铂片为对电极，沉积Au纳米层的FTO导电玻璃为工作电极，电解质溶液是含0.2～0.5mol/L硫酸铜和1～6mol/L乳酸的水溶液，且该水溶液通过氢氧化钠调节pH为8～14。

8.根据权利要求7所述的Cu2O基多层光电阴极薄膜材料的制备方法，其特征在于：电解质溶液是含0.3～0.4mol/L硫酸铜和3～4mol/L乳酸的水溶液，且该水溶液通过氢氧化钠调节pH为12～13。

9.根据权利要求7所述的Cu2O基多层光电阴极薄膜材料的制备方法，其特征在于：采用恒电位电化学沉积Cu2O，所施加的电压为-0.3～-0.8V，在25～60℃的条件下沉积200～

1000s。