1.表面等离子增强荧光传感器，其特征在于，其包括激光器、偏振片、透镜、棱镜、表面等离子增强荧光传感芯片、可调电压输出装置、探头和样品层；

表面等离子增强荧光传感芯片依次包括玻璃基底、WCSPR器件、缓冲层和样品池；WCSPR器件包括上金属层、折射率调节介质层和下金属层；样品池设置于缓冲层的下表面处，其与缓冲层的下表面之间设有间隙；样品池中的样品层折射率为1.33。

2.如权利要求1所述的表面等离子增强荧光传感器，其特征在于，表面等离子增强荧光传感芯片固定在棱镜上。

3.如权利要求1所述的表面等离子增强荧光传感器，其特征在于，表面等离子增强荧光传感芯片制备在玻璃基底上。

4.如权利要求2或3所述的表面等离子增强荧光传感器，其特征在于，折射率调节介质层采用具有电光效应的高分子材料制成。

5.如权利要求4所述的表面等离子增强荧光传感器，其特征在于，其设有一转台，棱镜、表面等离子增强荧光传感芯片均固定在转台上。

6.如权利要求5所述的表面等离子增强荧光传感器，其特征在于，缓冲层为Cytop氟化物高分子层，由旋转涂覆形成；棱镜用ZF3玻璃材料制备而成。

7.一种如权利要求1-6中任一项所述的表面等离子增强荧光传感器的测量方法，其特征在于，其包括如下步骤：(S01)制备WCSPR器件；

(S02)将步骤(S01)制备的WCSPR器件固定于ZF3玻璃为材料的棱镜上，两者之间以折射率为1.711@814nm的折射率匹配液填充；

(S03)样品池底部与准直器接触，用于收集氟化钇钠单纳米粒子层发射荧光，上述所有装置固定在转台上；

(S04)将步骤(S03)收集得到的荧光信号经荧光探测装置的单模光纤传递至准直器后，经滤光片和聚焦透镜聚焦后入射光电倍增管，采集的信号经前置放大器放大后由电脑采集；

(S05)在折射率调节介质层上施加不同幅度的直流电压信号，以波长为814纳米的横磁偏振光为入射光，以0.01度为步长转动转台并记录探头的反射光角度谱，计算WCSPR模式对应的入射角度后将转台转动至该角度，记录前置放大器上记录的SPEF信号，即完成荧光强度的测量。

8.如权利要求7所述的表面等离子增强荧光传感器的测量方法，其特征在于，步骤(S01)包括如下步骤：(S11)将ZF3玻璃基底层通过体积比为1:4的乙醇-乙醚混合液超声清洗2小时，清洁其-6表面后放入电子束蒸镀仪器中抽真空使气压值降至10 毫托；

(S12)以0.01nm每秒的蒸镀速率蒸镀金材料上金属层后以3500转/分的转速旋转涂覆EO-FTC，以质量分数为10％的聚碳酸酯作为折射率可调介质层，厚度为3微米；之后放入电子束蒸镀仪器中抽真空使气压值降至10-6毫托，以0.01nm每秒的蒸镀速率蒸镀金材料上金属层；

(S13)采用极板极化法，在135度温度、200伏的直流电压施加于折射率调节介质层条件下，极化30分钟使折射率调节介质层具有电光效应；以3500转/分的速度旋转涂覆Cytop材料作为缓冲层，厚度为200纳米；

(S14)采用物理吸附法在Cytop表面固定氟化钇钠单纳米粒子层。

9.如权利要求8所述的表面等离子增强荧光传感器的测量方法，其特征在于，荧光探测装置包括准直器、单模光纤、准直器后、滤光片、聚焦透镜、电脑、光电倍增管、前置放大器和玻璃基底。

10.如权利要求9所述的表面等离子增强荧光传感器的测量方法，其特征在于，步骤(S04)中，转台的转动、探头的反射光强度采集、可调电压输出装置电压输出的控制均由电脑完成。