1.一种复合相变薄膜材料(Si/Ge2Sb2Te5/Si)n的制备方法,其特征在于所述复合相变薄膜材料(Si/Ge2Sb2Te5/Si)n由10组Si/Ge2Sb2Te5/Si复合薄膜单元组成,每一组复合薄膜单元包括两层Si纳米薄膜和一层Ge2Sb2Te5纳米薄膜,Ge2Sb2Te5薄膜的两侧表面由Si薄膜完全包覆;相邻的两组Si/Ge2Sb2Te5/Si复合薄膜单元共用一层Si薄膜;组成复合相变薄膜材料(Si/Ge2Sb2Te5/Si)n的 Si纳米薄膜的厚度为5nm,Ge2Sb2Te5纳米薄膜的厚度为5nm;制备方法包括以下步骤:①基片的准备,将基片洗净烘干待用;
②磁控溅射的准备,将步骤①洗净的待溅射的基片放置在基托上,将Si和Ge2Sb2Te5作为溅射靶材分别安装在磁控射频溅射靶中,并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空,使用高纯氩气作为溅射气体;
③磁控溅射制备[Si(x)/Ge2Sb2Te5(x)/Si(x)] n多层复合薄膜,首先清洁Si靶材和Ge2Sb2Te5靶材表面,清洁完毕后,将待溅射的基片旋转到Si靶位,Si层溅射速率为0.46nm/s,溅射时间11s,溅射结束后得到Si薄膜层;Si薄膜层溅射完成后,将已经溅射了Si薄膜层的基片旋转到Ge2Sb2Te5靶位,Ge2Sb2Te5层溅射速率为0.4nm/s,溅射时间为13s,溅射结束后得到Ge2Sb2Te5薄膜层;重复上述溅射Si层和Ge2Sb2Te5层的操作9次,然后在最表面一层的Ge2Sb2Te5薄膜上再溅射一层Si薄膜,即得到[Si(x)/Ge2Sb2Te5(x)/Si(x)] n复合相变薄膜材料。