1.一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，所述方法利用逆温度溶解度在富铯生长体系中生长大尺寸零维钙钛矿发光单晶；

其中，所述带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的化学式为Cs4PbBr6-mXm，X为卤族元素，m为卤族元素的掺杂含量，选自0～6中的任意数值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，X选自Cl、Br、I；

进一步地，m选自0～3中的任意数值，更进一步为0～2中的任意数值，再进一步为0～

1.2中的任意数值。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的尺寸为毫米级别，进一步为2～6mm，更进一步为4mm。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的发光峰位位于481-536nm，半高宽小于25nm，进一步为不大于20nm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述富铯生长体系为溴化铅铯(CsPbBr3)、CsX与二甲基亚砜(DMSO)组成的溶液体系，其中X为卤族元素，X进一步选自Cl、Br、I。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述富铯生长体系中，CsPbBr3与CsX的摩尔比不大于1，摩尔比进一步为1：1。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述富铯生长体系的浓度为

0.1mol/L。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括：将溴化铅铯(CsPbBr3)与CsX按比例混合溶解于DMSO中，于室温下充分搅拌溶解获得饱和的生长溶液，以不高于80℃的温度作为初始结晶温度，待自发结晶后，将温度提高5～20℃，升温速率不大于1℃/min，将晶体生长速度控制在0.1～2mm/天，即可生长出带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶Cs4PbBr6-mXm。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述初始结晶温度为60～80℃，更进一步为60℃；

进一步地，自发结晶后，将温度提高5～20℃，进一步为提高20℃；

进一步地，温度提升速率不大于1℃/min，进一步为1℃/min。

10.权利要求1至9中任一项所述的方法生长得到的带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶。