1.本发明涉及一种用于细胞培养的聚吡咯薄膜基底制备方法，其特征在于：二甲基亚砜做为有机溶剂与吡咯单体混合均匀后加入催化剂、氧化剂反应得到聚吡咯溶液，旋涂法制备聚吡咯薄膜基底、烘干灭菌后用于细胞培养，其制备方法包括以下步骤：(1)减压蒸馏：搭建减压蒸馏装置，将吡咯试剂放入蒸馏瓶中，磁力搅拌在60-80℃中恒温加热，蒸馏出的吡咯单体通过冷凝管流入收集瓶，待全部的吡咯单体提纯完毕后，取出放入试管内备用；

(2)聚吡咯合成：以过硫酸铵或三氯化铁为氧化剂，在烧杯中配制4-10ml过硫酸铵水溶液，称取十二烷基苯磺酸钠0.05g-0.10g放入过硫酸铵水溶液/三氯化铁水溶液中，超声溶解得到澄清混合液，取40-50μl吡咯单体溶于3-6ml二甲基亚砜有机溶剂，摇匀倒入混合液中，密封并置于干燥避光处反应，合成聚吡咯溶液；

(3)旋涂：盖玻片超声清洗后作为衬底，放置在匀胶机吸盘上，将步骤(2)合成的聚吡咯溶液，每次抽取20-30μl滴加在盖玻片上，以1500-2500rmp转速涂旋20-30s，使聚吡咯溶液均匀旋涂在盖玻片表面，旋涂后的聚吡咯颗粒在盖玻片上具有良好的附着性，且分散均匀；

(4)真空干燥：将步骤(3)得到的聚吡咯基底放入真空干燥箱内干燥，得到聚吡咯薄膜基底；

(5)灭菌聚吡咯薄膜基底：将步骤(4)得到的聚吡咯薄膜基底放入100-120℃高压蒸汽灭菌锅中灭菌20-40min，灭菌完成后放入60-80℃烘干箱内烘干30min，烘干后的聚吡咯薄膜基底放入培养皿中进行细胞培养。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)中，减压蒸馏过程结束后，提纯后的吡咯单体始终处于密封状态，置于4℃冰箱内存放备用。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，过硫酸铵/三氯化铁和十二烷基苯磺酸钠的摩尔比为1:2-1.5:2。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，加入吡咯单体的体积为

40-50μl，二甲基亚砜有机溶剂的体积为3-6ml，得到的聚吡咯薄膜基底有良好的亲水性和稳定性，接触角范围在10°-25°，存储时间不小于24个月。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，合成聚吡咯溶液的反应时间在36-48h，反应温度为15-20℃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(3)中，聚吡咯薄膜的厚度范围在

20-30nm，聚吡咯薄膜基底接触角范围在10°-25°，聚吡咯薄膜基底的厚度和接触角与旋涂转速和旋涂时间线性相关。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(4)中，真空干燥时，温度设定为

60-90℃，干燥时间为4-6h。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的步骤(4)中，原子力显微镜在导电模式下得到聚吡咯薄膜基底电流范围在1-5nA，聚吡咯薄膜基底的电流强弱与旋涂厚度线性相关。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的步骤(4)中，使用原子力显微镜对聚吡咯薄膜基底在接触模式下扫描成像，得到的图像表面颗粒分布均匀，颗粒的粒径范围在

0.4-1.2μm，聚吡咯颗粒的粒径大小与旋涂次数线性相关。