1. 磁光各向异性导电特殊结构Janus纳米带阵列膜的制备方法，其特征在于，采用特殊设计和制作的[同轴喷丝头]//[单轴喷丝头]两股并行纺丝喷丝头，铝制转筒作为接收装置，利用静电纺丝技术，制备产物为磁光各向异性导电{[Fe3O4/PMMA]@[Eu(BA)3phen/PMMA]}//[PANI/PMMA]特殊结构Janus纳米带阵列膜，其步骤为：(1) 沉淀法制备油酸包覆的Fe3O4纳米晶将5.4060 g FeCl3·6H2O，2.7800 g FeSO4·7H2O，4.04 g NH4NO3和1.9000 g分子量为

20000的聚乙二醇溶于100 mL去离子水中，加热至50 °C并通入氩气30 min，然后缓慢滴加氨水至溶液的pH值为11，继续通氩气20 min得到黑色悬浊液，将此悬浊液磁分离后，用无水乙醇和去离子水依次洗涤三次，将产物置于60 °C的真空干燥箱中干燥12 h，得到直径为8‑

10 nm的Fe3O4纳米晶；取1.5000 g 所制备的Fe3O4纳米晶分散在已通入30 min氩气的100 mL去离子水中并超声分散20 min，然后将溶液在氩气保护下加热到80  °C，并加入1 mL油酸，然后继续反应40 min，将所得到的沉淀进行磁分离，去除水层并将沉淀在60 °C真空干燥箱中干燥6 h，得到油酸包覆的Fe3O4纳米晶；

(2) 沉淀法制备Eu(BA)3phen配合物将1.7600 g Eu2O3粉末溶于浓盐酸中，加热蒸干除去多余的盐酸和水得到EuCl3固体粉末，加入20 mL无水乙醇，配制成EuCl3的乙醇溶液，将3.6640 g苯甲酸和1.8020 g邻菲罗啉共同溶于100 mL的无水乙醇中，再将所制备的EuCl3乙醇溶液缓慢加入其中，滴加浓NH3·H2O调节溶液的pH值为6.0‑6.5之间，加热至50‑60  °C，搅拌3 h，将所得到的沉淀用水和无水乙醇依次洗涤3次，将产物放在60 °C烘箱中干燥12 h，得到Eu(BA)3phen粉末；

(3) 制备聚甲基丙烯酸甲酯PMMA

称取100 g甲基丙烯酸甲酯MMA和0.1 g过氧化二苯甲酰BPO，加入到带有回流装置的

250 mL三颈瓶中并搅拌均匀，将上述溶液在90‑95  °C的温度下剧烈搅拌并回流至溶液有一定粘度，当其粘度与甘油相近后，在继续搅拌的同时停止加热并自然冷却到室温，之后将上述溶液灌注到试管中，灌注高度为5‑7 cm，灌注完毕后静置2 h至试管内的溶液没有气泡，然后将上述试管转移到50 °C干燥箱中放置48 h，试管内的液体硬化为透明的固体，最后将干燥箱温度提高至110 °C并保温2 h，使聚合反应结束，然后自然冷却至室温，得到聚甲基丙烯酸甲酯PMMA；

(4) 配制纺丝液

将0.8 g油酸包覆的Fe3O4纳米晶加入到0.9026 g N,N‑二甲基甲酰胺DMF和9.1200 g氯仿混合液中并超声20 min，再加入0.8 g PMMA，搅拌24 h后，得到纺丝液I；将0.0750 g Eu(BA)3phen和0.75 g PMMA加入到8.3215 g氯仿和0.9615 g DMF的混合溶剂中并搅拌24 h，得到纺丝液II；将1.4000 g PMMA加入到1.8000 g氯仿和16.2000 g DMF的混合溶剂中并搅拌2 h，得到均匀的胶状液，再加入0.9800 g苯胺ANI和1.2220 g樟脑磺酸CSA并搅拌2 h后，加入2.4013 g过硫酸铵APS并搅拌30 min，再将混合溶液在冰水浴中磁力搅拌2‑3 h后，放入5 °C的冰箱冷藏室中24 h，得到纺丝液III；

(5) 制备磁光各向异性导电{[Fe3O4/PMMA]@[Eu(BA)3phen/PMMA]}//[PANI/PMMA]特殊结构Janus纳米带阵列膜

[同轴喷丝头]//[单轴喷丝头]特殊结构的两股并行纺丝喷丝头由一组同轴不锈钢针头和一根单独的不锈钢针头并行构成，将截平的8#不锈钢针头插入到截平的16#不锈钢针头中，尖端处于同一平面形成同轴结构的针头，将另一支截平的12#不锈钢针头弯曲30°后，固定到同轴不锈钢针头的一边，使这根不锈钢针头和同轴不锈钢针头的尖端紧密并行，并处于同一平面，最后采用一支1 mL塑料喷枪头套在三根不锈钢针头上，使三根不锈钢针头的尖端处于塑料喷枪头的中间部分，将8#不锈钢针头连接上2.5 mL注射器作为内纺丝管，

16#不锈钢针头连接上5 mL注射器作为外纺丝管，12#不锈钢针头连接上5 mL注射器作为单独的纺丝管，然后将纺丝液I加入到内纺丝管中，纺丝液II加入到外纺丝管中，纺丝液III加入到单独的纺丝管中，采用竖喷方式，接收装置为长20 cm、直径为8 cm的铝制转筒，其它纺丝参数为：纺丝电压为6.5 kV，针尖与转筒间距为20 cm，环境温度为20‑25 °C，相对湿度20 ‑1

%‑50 %，转筒转速为1300 r·min ，得到磁光各向异性导电{[Fe3O4/PMMA]@[Eu(BA)3phen/PMMA]}//[PANI/PMMA]特殊结构Janus纳米带阵列膜，由{[Fe3O4/PMMA]@[Eu(BA)3phen/PMMA]}//[PANI/PVP]特殊结构Janus纳米带按照一个方向排列而成，{[Fe3O4/PMMA]@[Eu(BA)3phen/PMMA]}//[PANI/PVP]特殊结构Janus纳米带由同轴纳米带和纳米带肩并肩地并在一起组成，特殊结构Janus纳米带的平均宽度为9.0 μm，厚度为950 nm，在289 nm的紫外光激发下，特殊结构Janus纳米带阵列膜发射出红色荧光，特殊结构Janus纳米带阵列膜的‑1

饱和磁化强度为7.44 emu·g ，沿着Janus纳米带长度方向上，特殊结构Janus纳米带阵列‑2

膜的电导为6.26´10  S，而在垂直于Janus纳米带长度方向上，特殊结构Janus纳米带阵列‑10 8

膜的电导为3.16´10  S，二者比值为1.99´10 ，具有高的各向异性导电特性，所制备的磁光各向异性导电特殊结构Janus纳米带阵列膜，同时具有高的各向异性导电、磁性和发光三功能。