1.一种环形压控振荡器电路，其特征在于，至少包括：N级延迟单元，每个所述延迟单元至少包括一个延迟模块、具有同样结构的第一加速模块和第二加速模块，其中N为奇数；

所述延迟模块具有电压控制端、正输入端、负输入端、正输出端和负输出端；

所述第一加速模块和第二加速模块具有第一输入端、第二输入端和电流节点；

N个所述延迟模块串联连接，即第N个延迟模块的两个输出端分别连接第N+1个延迟模块的输入端；每个延迟模块的电压控制端相互连接；

每个所述延迟模块的正输出端和负输出端各与一加速模块的电流节点连接，所述第一加速模块的第一输入端连接第二加速模块的第二输入端且同时与延迟模块的正输入端连接；第一加速模块的第二输入端连接第二加速模块的第一输入端且同时与延迟模块的负输入端连接；第一级延迟单元的第一加速模块的第一输入端连接第N级延迟单元中的第一加速模块的电流节点；第一级延迟单元的第二加速模块的第二输入端连接第N级延迟单元的第二加速模块的电流节点。

2.根据权利要求1所述的环形压控制振荡器电路，其特征在于，所述第一加速模块包括第一电容、第二电容、第一PMOS管至第四PMOS管和第一NMOS管至第四NMOS管；

所述第一PMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极、第四PMOS管的栅极、第一NMOS管的栅极、第三NMOS管的栅极、第四NMOS管的栅极连接后作为第一输入端；所述第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极、第三PMOS管的源极接电源VDD；所述第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极、第三NMOS管的源极接地；所述第一PMOS管的漏极分别与第一电容的一端、第一NMOS管的漏极连接，所述第一电容的另一端分别与第二NMOS管的漏极、第四NMOS管的源极连接；所述第三PMOS管的漏极分别与第四PMOS管的源极、第二电容的一端连接，所述第二电容的另一端分别与第二PMOS管的漏极、第三NMOS管的漏极连接，所述第三PMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极连接后作为第二输入端；所述第四PMOS管的漏极、第四NMOS管的漏极连接作为电流节点。

3.根据权利要求1所述的环形压控制振荡器电路，其特征在于，所述延迟模块包括第五PMOS管至第八PMOS管和第五NMOS管至第八NMOS管；

所述第五PMOS管的源极、第六PMOS管的源极、第七PMOS管的源极、第八PMOS管的源极连接电源VDD；所述第五NMOS管的源极、第六NMOS管的源极、第七NMOS管的源极、第八NMOS管的源极接地；第五PMOS管的漏极分别与第六PMOS管的漏极、第七PMOS管的栅极、第五NMOS管的漏极、第七NMOS管的漏极连接形成负输出端；所述第八PMOS管的漏极分别与第七PMOS管的漏极、第六PMOS管的栅极、第六NMOS管的漏极、第八NMOS管的漏极连接形成为正输出端；

所述第五PMOS管的栅极与第五NMOS管的栅极连接形成正输入端，所述第六PMOS管的栅极与第六NMOS管的栅极连接形成负输入端，所述第七NMOS管的栅极与第八NMOS管的栅极连接形成电压控制端。

4.一种振荡器，其特征在于，包括权利要求1～3任意一项所述的环形压控制振荡器电路。