1.一种有机硅介微孔超低介电薄膜，其特征在于，该薄膜中POSS类有机硅烷前躯体的结构式如下：，

其中，n为12、16、18、20或22，X为CH3或CH2CH3。

2.一种如权利要求1所述的有机硅介微孔超低介电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：室温下，将POSS类前驱体溶解于有机溶剂中，加入适量光产酸剂，搅拌均匀后，在基底上喷涂成膜；待有机溶剂完全挥发后，置于发光二极管灯下照射预设时间，然后置于N、N二甲基甲酰胺中与短链氟代烷基醇进行酯交换反应24-72h，洗涤干燥后得到所述有机硅介微孔超低介电薄膜。

3.根据权利要求2所述的有机硅介微孔超低介电薄膜的制备方法，其特征在于，所述POSS类前驱体与光产酸剂的质量比为10：0.05 1。

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4.根据权利要求2所述的有机硅介微孔超低介电薄膜的制备方法，其特征在于，所述短链氟代烷基醇的摩尔浓度为0.01 0.05mol/L。

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5.根据权利要求2所述的有机硅介微孔超低介电薄膜及其制备方法，其特征在于，所述的发光二极管灯的特定波长为320nm、365nm或405nm。

6.根据权利要求2所述的有机硅介微孔超低介电薄膜及其制备方法，其特征在于，所述的发光二极管灯的功率为0.1 20mW/cm2。

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7.根据权利要求2所述的有机硅介微孔超低介电薄膜及其制备方法，其特征在于，所述预设时间为30-60min。

8.根据权利要求2至7中任一项所述的有机硅介微孔超低介电薄膜的制备方法，其特征在于，所述的光产酸剂为4-异丁基苯基-4'-甲基苯基碘六氟磷酸盐、2-甲基-α-[2-[[丙磺酰基]亚胺]-3(2H)-噻吩亚甲基-苯乙腈或4-辛氧基二苯基碘鎓六氟锑酸盐。

9.根据权利要求2至7中任一项所述的有机硅介微孔超低介电薄膜的制备方法，其特征在于，所述的氟代烷基醇为2，2，2-三氟乙醇、3，3，3-三氟丙-1-醇、4，4，4-三氟丁-1-醇或

1H，1H，2H，2H-全氟己-1-醇。

10.根据权利要求2至7中任一项所述的有机硅介微孔超低介电薄膜的制备方法，其特征在于，所述基底为导电玻璃或硅片。