1.一种(Cu,Ce):YAG透明荧光陶瓷，其特征在于，其化学式为：(Y1-xCex)3(Al1-yCuy)5O12，其中x为Ce3+掺杂Y3+位的摩尔百分数，y为Cu2+掺杂Al3+位的摩尔百分数，0.0005≤x≤0.01，

0.0001≤y≤0.1。

2.一种权利要求1所述的(Cu,Ce):YAG透明荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)按照化学式(Y1-xCex)3(Al1-yCuy)5O12中各元素的化学计量比分别称取氧化铝、氧化钇、铜的氧化物和氧化铈粉体作为原料，其中x为Ce3+掺杂Y3+位的摩尔百分数，y为Cu2+掺杂

3+

Al 位的摩尔百分数，0.0005≤x≤0.01，0.0001≤y≤0.1，将烧结助剂、分散剂、无水乙醇、磨球与称量好的原料粉体一起放入球磨罐中进行球磨混合，得到混合浆料；

(2)将步骤(1)球磨后的混和浆料置于干燥箱中干燥，干燥后的混合粉体过50～200目筛，过筛2～6遍，然后在空气气氛下煅烧，除去残留有机物；

(3)将步骤(2)煅烧后的混合粉体放入磨具中干压成型，采用轴向双向加压方式，压力为4～20MPa，保压时间10～60s，干压成型后，从磨具中取出素坯，在真空封装机上进行塑封，之后进行冷等静压；或者直接将步骤(2)煅烧后的混合粉体热压铸成型；

(4)将步骤(3)得到的陶瓷素坯放入真空烧结炉中，在真空度大于5.0×10-4Pa、1700～

1800℃条件下保温10～50h或将陶瓷素坯放入气氛烧结炉中，在含5％～10％氢气的氮气气氛中，1700～1800℃条件下保温8～50h；

(5)将步骤(4)烧结后的陶瓷材料置于马弗炉中退火，随炉降至室温，经抛光后即得到陶瓷材料。

3.根据权利要求2所述的(Cu,Ce):YAG透明荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述氧化铝、氧化钇的质量百分纯度为≥99.9％，平均粒径50nm～5μm；所述铜的氧化物为氧化铜、过氧化铜、氢氧化铜、碳酸铜中的一种，其质量百分纯度为≥99.0％，平均粒径

100nm～10μm；所述氧化铈的质量百分纯度为≥99.9％，平均粒径50nm～5μm。

4.根据权利要求2或3所述的(Cu,Ce):YAG透明荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述烧结助剂为正硅酸乙酯和氧化镁，两者用量分别为原料粉体总质量的0.5～

1.5％和0.05～0.1％；或者为正硅酸乙酯和氧化锆，两者用量分别为原料粉体总质量的0.2～2.0％和0.05～0.5％。

5.根据权利要求2或3所述的(Cu,Ce):YAG透明荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述分散剂为聚醚酰亚胺，摩尔质量百分数为0.05～1mol％；无水乙醇的体积与原料粉体总质量的比为1.5～2:1(ml/g)。

6.根据权利要求2或3所述的(Cu,Ce):YAG透明荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述磨球为高纯氧化铝磨球或者高纯氧化锆磨球，磨球直径为2～20mm；所述球磨罐的材质为氧化铝陶瓷罐或尼龙罐，球磨时球料比为2:1～4:1，球磨方式为行星式球磨或者卧式球磨，行星式球磨转速为130rpm～160rpm，卧式球磨转速为100rpm～200rpm，球磨时间为15～40h。

7.根据权利要求2或3所述的(Cu,Ce):YAG透明荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述干燥温度为55～70℃，干燥时间为20～48h；所述煅烧温度为700～800℃，煅烧时间为8～20h。

8.根据权利要求2或3所述的(Cu,Ce):YAG透明荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，冷等静压时的压力为180～250MPa，保压时间为100～400s；热压铸时的压力为200～

400MPa，保压时间为5～20s。

9.根据权利要求2或3所述的(Cu,Ce):YAG透明荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，所述退火温度为1300～1450℃，退火时间为15～40h。

10.权利要求1所述的(Cu,Ce):YAG透明荧光陶瓷在制备白光LED照明材料中的应用。