1.一种基于单电子晶体管的忆阻突触脉冲神经网络电路设计方法，其特征是包括以下步骤：(S1)在反向串联惠普线性忆阻突触模型上，去掉该突触中与忆阻并联的开关，同时在两个忆阻反向连接处连接上一个串联的n沟道MOS场效应晶体管和p沟道MOS场效应晶体管；

(S2)设计新的忆阻窗函数：

F(x)＝stp(-sign(i)·x+stp(i))其中，x变量为忆阻模型中掺杂比例，i为流经忆阻的电流；

stp为阶跃函数，其表达式为：

sign为符号函数，其表达式为：

并将新的忆阻窗函数F(x)运用到步骤(S1)中的忆阻模型中；

(S3)确定单电子晶体管的模型，并调整其参数，使其产生的库伦震荡脉冲与生物神经元脉冲具有相似的频率及幅度；

(S4)设计基于步骤(S3)中的单电子晶体管的脉冲神经元电路，使之可以收集并产生脉冲；

(S5)基于步骤(S2)中忆阻突触和步骤(S4)中单电子晶体管的脉冲神经元设计脉冲神经网络，并用PSPICE仿真验证该网络的性能。