1.一种基于表面等离子体亚波长光栅的偏振分束器，其特征在于：包括等离子体亚波长光栅和以相同间隔平行设于所述等离子体亚波长光栅两侧的J型硅波导与第一输出硅波导，所述等离子体亚波长光栅沿从所述J型硅波导到所述第一输出硅波导方向上依次包括第一亚波长光栅层、金属覆盖层和第二亚波长光栅层，所述J型硅波导的宽度w1和所述第一输出硅波导的宽度w2相等；所述第一亚波长光栅宽度e1和所述第二亚波长光栅的宽度e2相等，并均处于152.5‑192.5nm 范围。

2.根据权利要求1所述的基于表面等离子体亚波长光栅的偏振分束器，其特征在于：所述金属覆盖层的厚度t处于10‑30nm范围。

3.根据权利要求1所述的基于表面等离子体亚波长光栅的偏振分束器，其特征在于：所述等离子体亚波长光栅与所述J型硅波导和所述第一输出硅波导之间的间隔d均处于175‑

225nm范围。

4.根据权利要求1所述的基于表面等离子体亚波长光栅的偏振分束器，其特征在于：所述J型硅波导、等离子体亚波长光栅与所述第一输出硅波导的高度h1、h2和h3相同。

5.根据权利要求1所述的基于表面等离子体亚波长光栅的偏振分束器，其特征在于：所述J型硅波导包括弧形硅波导和分别连接在所述弧形硅波导两端的输入硅波导与第二输出硅波导。

6.根据权利要求5所述的基于表面等离子体亚波长光栅的偏振分束器，其特征在于：所述等离子体亚波长光栅和所述输入硅波导构成第一耦合区，其耦合长度为L1，所述等离子体亚波长光栅和所述第一输出硅波导构成第二耦合区，其耦合长度为L2，所述耦合长度L1处于1.7μm‑2.5μm范围，所述耦合长度L2处于1.7μm‑2.5μm范围。

7.根据权利要求1所述的基于表面等离子体亚波长光栅的偏振分束器，其特征在于：所述第一亚波长光栅层和所述第二亚波长光栅层的材料均为硅，所述金属覆盖层的材料为银。

8.根据权利要求1所述的基于表面等离子体亚波长光栅的偏振分束器，其特征在于：所述J型硅波导、等离子体亚波长光栅与所述第一输出硅波导均包裹在二氧化硅包层里面。