1.一种p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料，其特征在于：复合薄膜由叠层p-n型碲化铅/聚吡咯材料组成，碲化铅层薄膜的厚度为20nm-300nm，聚吡咯薄膜的厚度20nm-

300nm。

2.根据权利要求1所述的p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料，其特征在于：所述复合薄膜采用水热法结合气相法制备。

3.权利要求1或2所述的p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料的制备方法，其特征在于步骤如下：（1）制备碲化铅薄膜：将醋酸铅、碲化钠、氢氧化钠和柠檬酸钠溶解到酒精与水的混合溶剂中，将混合液加入到反应釜中，并将带有电极的硅片倾斜置于反应釜中反应，反应结束后，取出样品，随即将样品采用去离子水和酒精清洗并干燥，得到碲化铅薄膜；

（2）在碲化铅薄膜上制备聚吡咯薄膜：将得到的碲化铅薄膜置于甲苯磺酸铁的酒精溶液中浸渍1-2min，之后将薄膜置于盛有吡咯单体的气相室中进行气相聚合，经洗涤烘干后，得到p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料。

4.根据权利要求3所述的p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中醋酸铅、碲化钠、氢氧化钠和柠檬酸钠的质量比为1：（1.5-2）：（0.5-

0.8）：（0.2-0.5）。

5.根据权利要求3所述的p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中带有电极的硅片倾斜角度为10-45°。

6.根据权利要求3所述的p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中反应温度为100-150℃，反应时间为5-15h，干燥温度为50-60℃，干燥时间为2-5h。

7.根据权利要求3所述的p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中气相室中的温度为0-10℃，反应时间为1-20min。