1.一种高电活性修饰电极的制备方法，其特征在于，步骤包括：

(1)将有序介孔碳CMK-3粉末置于N，N-二甲基甲酰胺中，水浴超声40分钟，形成0.2mg/mL的介孔碳CMK-3分散液；

(2)用移液枪移取5微升0.2mg/mL介孔碳CMK-3分散液滴到经预处理后的玻碳电极表面，形成微球液滴，自然蒸发晾干，得到介孔碳CMK-3修饰的玻碳电极；

(3)将2mg全氟化酞箐钴置于1mL DMF中，60摄氏度水浴超声40分钟，然后离心除去未溶解的全氟酞箐钴，制得全氟酞箐钴溶液；

(4)取5微升全氟酞箐钴溶液滴到有序介孔碳CMK-3修饰的玻碳电极表面形成微球液滴，放置40分钟，然后依次用N，N-二甲基甲酰胺和水冲洗电极表面，得到高电活性修饰电极。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预处理玻碳电极的步骤为：玻碳电极依次经过1μm、0.3μm以及0.05μm氧化铝抛光粉抛光至镜面，然后分别在水和乙醇中超声清洗，晾干，备用。

3.一种如权利要求1或2所述的制备方法制备的高电活性修饰电极的应用，其特征在于，所述应用为用于半胱氨酸的检测。

4.如权利要求3所述的应用，其特征在于，所述半胱氨酸的检测为：采用差分脉冲伏安法以及三电极体系，三电极体系分别由工作电极、参比电极和对电极组成，工作电极为如权利要求1或2所述的制备方法制备的高电活性修饰电极，参比电极为Ag/AgCl电极，铂丝作为对电极，pH 7.0的0.1M NaH2PO4-Na2HPO4溶液作为缓冲溶液。

5.如权利要求4所述的应用，其特征在于，所述差分脉冲伏安法为正扫差分脉冲伏安法，参数设定为：初始电位为-1.1V,最终电位为0.6V,电位增幅0.004V，振幅0.05V,脉冲宽度0.2s，脉冲周期0.5s；线性范围为0.01mM到20mM(R2＝0.9982,I/μA＝0.325+0.00134C/mM)，最低检出限为1μM(S/N＝3)。

6.如权利要求4所述的应用，其特征在于，所述差分脉冲伏安法为负扫差分脉冲伏安法，参数设定为：电位增幅0.004V，振幅0.05V,脉冲宽度0.2s，脉冲周期0.5s；负扫DPV初始电位为0.6V,最终电位为-1.1V，呈两段线性关系，线性范围为20μM到0.5mM(R2＝0.9960,I/μA＝0.295+3.36C/mM)以及0.5mM到10mM(R2＝0.9950,I/μA＝1.59+1.71C/mM)，最低检出限为4.2μM(S/N＝3)。