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专利号: 2018110566536
申请人: 安徽科技学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种高纯度低温相方石英的合成方法,其特征在于:所述的方法包括如下步骤:

1)将非晶氧化硅用1%~5%氟化铵溶液制成固含量40%~50%的悬浮液,悬浮液用

25%氨水调节pH值为7~8,封入高压反应釜,升高釜内温度80℃~200℃,釜内压力1~

2.5MPa,并恒温恒压维持4h~24h;

2)步骤1)中晶化后的氧化硅悬浮液冷却过滤,含氟化铵的滤液用于步骤1)制浆循环使用,滤饼用电导率<1.0μs/cm的高纯水反复洗涤3~6次,去除杂质离子;

3)步骤2)中洗净后的预晶化滤饼于真空度-1MPa~-2MPa,105℃真空条件下干燥3~

6h,得到预晶化氧化硅粉料;

4)步骤3)中的氧化硅粉料装入高温马弗炉以2-5℃的升温速率升高至900℃~1200℃,保温5h~7h,自然冷却即得高纯方石英微粉。