1.一种基于MEMS技术的三维风速风向传感器，包括方形的传感器芯片(1)，其特征是：位于传感器芯片(1)正面设置有两组相互垂直的一维风速风向传感器(2)，所述的一维风速风向传感器(2)具有中心加热元件(3)、以中心加热元件(3)为对称轴对称分布的热传感测温元件(4)，传感器芯片(1)正面还设有方形薄板(5)，方形薄板(5)根部通过悬臂梁(6)支撑，在悬臂梁(6)根部设置有压敏电阻(7)；传感器芯片(1)的背面具有长方形空腔(8)，长方形空腔(8)的面积覆盖两组一维风速风向传感器(2)和方形薄板(5)所在区域，方形薄板(5)四周开设有U型镂空(9)。

2.如权利要求1所述的基于MEMS技术的三维风速风向传感器，其特征是：所述的传感器芯片(1)外围包覆有球形外壳(10)，球形外壳(10)中分布有三条互不交叠、可将三维方向的风引导至对应的传感器测量元件表面的中空管道(11)。

3.一种权利要求2所述基于MEMS技术的三维风速风向传感器的制作方法，其特征是：具有如下步骤：a、在SOI圆片(12)的上表面生长一层二氧化硅层(13)，对二氧化硅层(13)进行光刻、刻蚀，形成压敏电阻扩散区(14)，使用扩散或离子注入法，形成压敏电阻(7)，去除光刻胶和二氧化硅层(13)；

b、在SOI圆片(12)的上表面生长一层栅氧化层(15)，在栅氧化层(15)上表面淀积多晶硅(16)，并注入硼离子，刻蚀多晶硅(16)，形成中心加热元件(3)和热传感测温元件(4)的一端；

c、在栅氧化层上表面淀积氧化层(17)，该氧化层(17)覆盖住中心加热元件(3)和热传感测温元件(4)的一端，利用深反应离子刻蚀氧化层(17)形成通孔(18)；

d、利用蒸发或溅射工艺制备热传感测温元件(4)的另一端以及电引出焊盘(19)；

e、在氧化层(17)上表面利用光刻蚀工艺，形成U型镂空(9)，直至裸露出SOI圆片(12)下部的硅衬底，去除光刻胶；

f、在SOI圆片(12)下表面采用各向异性腐蚀，形成长方形空腔(8)；

g、划片，将上述制成的传感器芯片(1)装贴在PCB板(20)上，然后采用球形外壳(10)对传感器芯片(1)进行封装。