1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；

第一沟槽和第二沟槽，形成于所述衬底中；

第二导电类型的外延层，包括形成于所述衬底上表面的第一部分，以及分别形成于所述第一沟槽和所述第二沟槽内的第二部分；

第一介质层，注入形成于所述衬底和所述外延层交界处并覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽的上表面，以及所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述衬底的上表面；

第二介质层和第三介质层，分别注入形成于所述衬底内并覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽的下表面，所述第二介质层和所述第三介质层分别沿着相互背离的方向延伸至所述外延层的边缘；

第一电极，形成于所述外延层的上表面并与所述外延层连接；

第二电极，形成于所述衬底的下表面并与所述衬底连接。

2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第一介质层完全覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽的上表面，并且所述第一介质层的两端延伸出所述第一沟槽和所述第二沟槽的上表面之外。

3.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第二介质层完全覆盖所述第一沟槽的下表面，并且所述第二介质层在所述外延层内的一端延伸出所述第一沟槽的下表面之外。

4.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第三介质层完全覆盖所述第二沟槽的下表面，并且所述第三介质层在所述外延层内的一端延伸出所述第二沟槽的下表面之外。

5.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第一沟槽和所述第二沟槽对称，所述第一介质层和所述第二介质层对称。

6.一种瞬态电压抑制器的制作方法，其包括：提供第一导电类型的衬底；

在所述衬底中形成第一沟槽和第二沟槽；

形成第二导电类型的外延层，所述外延层包括形成于所述衬底上表面的第一部分，以及分别形成于所述第一沟槽内和所述第二沟槽内形成的第二部分；

在所述衬底和所述外延层交界处注入形成覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽的上表面，以及所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述衬底的上表面的第一介质层；

在所述衬底内注入形成覆盖所述第一沟槽的下表面的第二介质层以及覆盖所述第二沟槽的下表面的第三介质层，所述第二介质层和所述第三介质层分别沿着相互背离的方向延伸至所述外延层的边缘；

在所述外延层的上表面形成与所述外延层连接的第一电极；

在所述衬底的下表面形成与所述衬底连接的第二电极。

7.根据权利要求6所述的一种瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，所述第一介质层完全覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽的上表面，并且所述第一介质层的两端延伸出所述第一沟槽和所述第二沟槽的上表面之外。

8.根据权利要求6所述的一种瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，所述第二介质层完全覆盖所述第一沟槽的下表面，并且所述第二介质层在所述外延层内的一端延伸出所述第一沟槽的下表面之外。

9.根据权利要求6所述的一种瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，所述第三介质层完全覆盖所述第二沟槽的下表面，并且所述第三介质层在所述外延层内的一端延伸出所述第二沟槽的下表面之外。

10.根据权利要求6所述的一种瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，所述第一沟槽和所述第二沟槽对称，所述第一介质层和所述第二介质层对称。