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专利号: 2018111075137
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 发电、变电或配电
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种智能光伏电站模拟仪的采集板电路,其特征在于包括控制电路、MOS管驱动电路、采集控制电路、测量电路、供电电路、外围电路和通信隔离电路;

控制电路包括控制芯片U8、上拉电阻R15和参考电压滤波电容C33;

控制芯片U8的第1引脚与上拉电阻R15的一端相连接,上拉电阻R15的另一端外接电源VCC,且与控制芯片U8的第10引脚相连接;控制芯片U8的第9引脚接地;控制芯片U8的第12引脚与参考电压滤波电容C33的一端相连接,参考电压滤波电容C33的另一端接地;

MOS管驱动电路包括三极管Q1 Q8,控制MOS管NM1 NM4,限流电阻R1、R2、R3、R6、R8、R9、~ ~R10、R11、R12、R22、R23、R24;

控制MOS管NM1的栅极与控制芯片U8的第48引脚相连接;控制MOS管NM1的源极接地;控制MOS管NM1的漏极同时与限流电阻R1、R2的一端相连接,限流电阻R1的另一端外接12V电源,限流电阻R2的另一端同时与三极管Q1和三极管Q2的基极相连接,三极管Q1的集电极外接12V电源,三极管Q2的集电极接地,三极管Q1和三极管Q2的发射极均与限流电阻R3的一端相连接,限流电阻R3的另一端与控制芯片U8的第48引脚相连接;

控制MOS管NM2的栅极与控制芯片U8的第35引脚相连接;控制MOS管NM2的源极接地;控制MOS管NM2的漏极同时与限流电阻R6、R8的一端相连接,限流电阻R6的另一端外接12V电源,限流电阻R8的另一端同时与三极管Q3和三极管Q4的基极相连接,三极管Q3的集电极外接12V电源,三极管Q4的集电极接地,三极管Q3和三极管Q4的发射极均与限流电阻R9的一端相连接,限流电阻R9的另一端与控制芯片U8的第35引脚相连接;

控制MOS管NM3的栅极与控制芯片U8的第34引脚相连接;控制MOS管NM3的源极接地;控制MOS管NM3的漏极同时与限流电阻R10、R11的一端相连接,限流电阻R10的另一端外接12V电源,限流电阻R11的另一端同时与三极管Q5和三极管Q6的基极相连接,三极管Q5的集电极外接12V电源,三极管Q6的集电极接地,三极管Q5和三极管Q6的发射极均与限流电阻R12的一端相连接,限流电阻R12的另一端与控制芯片U8的第34引脚相连接;

控制MOS管NM4的栅极与控制芯片U8的第36引脚相连接;控制MOS管NM4的源极接地;控制MOS管NM4的漏极同时与限流电阻R22、R23的一端相连接,限流电阻R22的另一端外接12V电源,限流电阻R23的另一端同时与三极管Q7和三极管Q8的基极相连接,三极管Q7的集电极外接12V电源,三极管Q8的集电极接地,三极管Q7和三极管Q8的发射极均与限流电阻R24的一端相连接,限流电阻R24的另一端与控制芯片U8的第36引脚相连接;

采集控制电路包括太阳能输入接口P4,旁路二极管D1、D6,防逆流二极管D5,N沟道MOS管U2 U5,分压电阻R4,电压测量电阻R5,电压测量分压电阻R7,电流测量分压电阻R71;

~

太阳能输入接口P4的一个接口同时与分压电阻R4的一端、旁路二极管D6的负极、N沟道MOS管U2的第5 7号引脚相连接,同时外接汇流板;太阳能输入接口P4的另一个接口同时与~防逆流二极管D5的负极、N沟道MOS管U4的1 3号引脚相连接;防逆流二极管D5的正极同时与~N沟道MOS管U4的5 8号引脚、电压测量电阻R5的一端、电流测量分压电阻R71的一端相连接~后,同时接地;电流测量分压电阻R71的另一端同时与N沟道MOS管U5的5 8号引脚、旁路二极~管D1的负极、N沟道MOS管U3的1 3号引脚相连接;电压测量电阻R5的另一端与电压测量分压~电阻R7的一端相连接;电压测量分压电阻R7的另一端与分压电阻R4的另一端相连接;旁路二极管D1的正极与N沟道MOS管U5的1 3号引脚相连接,同时与旁路二极管D6的正极、N沟道~MOS管U2的1 3号引脚相连接;N沟道MOS管U3的5 8号引脚外接汇流板;

~ ~

N沟道MOS管U2 U5的第4引脚分别与控制芯片U8的第36、34、48、35引脚相连接;

~

测量电路包括电压基准芯片U12,电压测量运放U11A,电流测量一级运放U11B,电流测量二级运放U12A,电压测量运放供电滤波电容C100和C101,参考电压滤波电容C010,电压基准芯片供电滤波电容C111,电压测量运放输入滤波电容C23,电压测量运放输出滤波电容C34,电流测量一级运放输出滤波电容C35,电流测量一级运放输入滤波电容C151,电流测量一级运放滤波电容C74、电流测量二级运放输出滤波电容C4,运算放大器隔离电容C5和C6,电流测量二级运放滤波电容C102,电压测量运放输入正端限流电阻R30,电压测量运放放大电阻R32,电阻R39、R65,断路电阻R64,电流测量一级运放输入负端限流电阻R33,电流测量一级运放输入正端限流电阻R34,电流测量一级运放输出限流电阻R35,电流测量一级运放放大电阻R36,电流测量二级运放放大电阻R13,电流测量二级运放输出限流电阻R14,电流测量二级运放输入正端限流电阻R16,下拉电阻R18,电流测量二级运放输入负端限流电阻R100;

电压基准芯片U12的第2引脚与参考电压滤波电容C010的一端相连接,同时外接控制芯片U8的第12引脚,参考电压滤波电容C010的另一端接地;电压基准芯片U12的第1引脚与电压基准芯片供电滤波电容C111的一端相连接,同时外接控制芯片U8的第11引脚;电压基准芯片U12的第3引脚与电压基准芯片供电滤波电容C111的另一端接地;

电压测量运放U11A的第1引脚同时与电阻R39的一端、电压测量运放放大电阻R32的一端相连接,电压测量运放放大电阻R32的另一端与电压测量运放U11A的第2引脚相连接;电阻R39的另一端与电压测量运放输出滤波电容C34的一端相连接,同时与控制芯片U8的第21引脚相连接;电压测量运放输出滤波电容C34的另一端接地;

电压测量运放U11A的第3引脚同时与电压测量运放输入正端限流电阻R30的一端、断路电阻R64的一端、电压测量运放输入滤波电容C23的一端相连接;断路电阻R64的另一端、电压测量运放输入滤波电容C23的另一端均接地;电压测量运放输入正端限流电阻R30的另一端与采集控制电路中电压测量分压电阻R7的一端相连接;电压测量运放U11A的第4引脚接地;

电压测量运放U11A的第8引脚同时与电压测量运放供电滤波电容C100和C101的一端相连接,并外接电源VCC端;电压测量运放供电滤波电容C100和C101的另一端均接地;

电流测量一级运放U11B的第5引脚同时与电流测量一级运放输入正端限流电阻R34的一端、电阻R65的一端、电流测量一级运放输入滤波电容C151的一端相连接;电阻R65的另一端、电流测量一级运放输入滤波电容C151的另一端均接地;电流测量一级运放输入正端限流电阻R34的另一端与N沟道MOS管U5的第5 8号引脚相连接;

~

电流测量一级运放U11B的第6引脚同时与电流测量一级运放输入负端限流电阻R33的一端、电流测量一级运放放大电阻R36的一端、电流测量一级运放滤波电容C74的一端相连接,电流测量一级运放输入负端限流电阻R33的另一端接地,电流测量一级运放放大电阻R36的另一端、电流测量一级运放滤波电容C74的另一端同时与电流测量一级运放U11B的第

7引脚、电流测量一级运放输出限流电阻R35的一端相连接;电流测量一级运放输出限流电阻R35的另一端同时与电流测量一级运放输出滤波电容C35的一端、电流测量二级运放输入正端限流电阻R16的一端相连接;电流测量一级运放输出滤波电容C35的另一端接地;

电流测量二级运放U12A的第1引脚同时与电流测量二级运放放大电阻R13的一端、电流测量二级运放输出限流电阻R14的一端、电流测量二级运放滤波电容C102的一端相连接;电流测量二级运放输出限流电阻R14的另一端与电流测量二级运放输出滤波电容C4的一端相连接,同时与控制芯片U8的第22引脚相连接;电流测量二级运放输出滤波电容C4的另一端接地;

电流测量二级运放U12A的第2引脚同时与电流测量二级运放放大电阻R13的另一端、电流测量二级运放滤波电容C102的另一端、电流测量二级运放输入负端限流电阻R100的一端相连接;电流测量二级运放输入负端限流电阻R100的另一端接地;

电流测量二级运放U12A的第3引脚同时与电流测量二级运放输入正端限流电阻R16的另一端、下拉电阻R18的一端相连接;下拉电阻R18的另一端接地;

电流测量二级运放U12A的第4引脚接地;电流测量二级运放U12A的第8引脚外接电源VCC端;

运算放大器隔离电容C5和C6的一端均外接电源VCC端,另一端均接地;

所述的测量电路包括电压基准芯片U12的型号为MAX6002EUR‑T;

供电电路包括降压芯片UP,升压芯片U1,降压芯片输出滤波电容C60,降压芯片输入滤波电容C62和C63,降压芯片输出滤波电容C611,电源隔离电容C1、C2和C3,功率消耗电阻RM;

降压芯片UP的第1引脚与降压芯片输入滤波电容C62的一端、降压芯片输入滤波电容C63的负极相连接,同时接地;降压芯片UP的第2引脚与降压芯片输入滤波电容C62的另一端、降压芯片输入滤波电容C63的正极相连接,同时外接5V电压;降压芯片UP的第5引脚同时与降压芯片输出滤波电容C60的正极、降压芯片输出滤波电容C611的一端、功率消耗电阻RM的一端相连接,同时外接电源VCC端;降压芯片输出滤波电容C60的负极、降压芯片输出滤波电容C611的另一端、功率消耗电阻RM的另一端与降压芯片UP的第4引脚相连接,同时接地;

升压芯片U1的第1引脚同时与电源隔离电容C1、C2的一端相连接,并接地;升压芯片U1的第2引脚同时与电源隔离电容C1、C2的另一端相连接,并外接5V电压;升压芯片U1的第3引脚接地;升压芯片U1的第4引脚与电源隔离电容C3的一端相连接,同时外接12V电压,电源隔离电容C3的另一端接地;

外围电路包括汇流板接口PH,复位开关S111,限流电阻R‑14,隔离电容C44,晶振X1,晶振起振电容C22和C31,滤波电容C26和C27,隔离电容C83和C86,发光二极管D2,限流电阻R17,隔离电容C24、C25和C46,串口通信接口P8,串口调试接口J2,程序下载接口J4;

汇流板接口PH的第2和4引脚分别与N沟道MOS管U2的第5 8引脚、N沟道MOS管U5的第5 8~ ~引脚相连接;汇流板接口PH的第6引脚外接5V电压;汇流板接口PH的第8引脚接地;汇流板接口PH的第10和12引脚分别与通信隔离光耦PO1的第 3和8引脚相连接;

复位开关S111的一端与隔离电容C44的负极相连接,同时接地;复位开关S111的另一端同时与隔离电容C44的正极、限流电阻R‑14的一端相连接,限流电阻R‑14的另一端外接电源VCC端;晶振X1的两端分别与晶振起振电容C22和C31的一端相连接,同时与控制芯片U8的第

3、4引脚相连接;晶振起振电容C22和C31的另一端均接地;

滤波电容C26的一端、滤波电容C27的正极与控制芯片U8的第12引脚相连接;滤波电容C26的另一端、滤波电容C27的负极接地;

隔离电容C83的正极、隔离电容C86的一端外接电源VCC ;隔离电容C83的负极、隔离电容C86的另一端均接地;

发光二极管D2的正极外接电源VCC,负极与限流电阻R17的一端相连接,限流电阻R17的另一端与控制芯片U8的第14引脚相连接;

隔离电容C24的正极、隔离电容C25的一端外接电源VCC,隔离电容C24的负极、隔离电容C25的另一端接地;

串口通信接口P8的两个接口分别与控制芯片U8的第41、42引脚相连接;隔离电容C46的两端分别接电源VCC和接地;

串口调试接口J2的第1引脚和第4引脚分别接电源VCC和接地;串口调试接口J2的第2引脚和第3引脚分别与控制芯片U8的第18、17引脚相连接;

程序下载接口J4的第1引脚和第3引脚分别接电源VCC和接地;程序下载接口J4的第2引脚和第4引脚分别与控制芯片U8的第1、2引脚相连接;

通信隔离电路包括通信隔离光耦PO1,上拉电阻R19、R21、R72,下拉电阻R20;

通信隔离光耦PO1的第1引脚通过上拉电阻R19后外接电源VCC;

通信隔离光耦PO1的第2引脚分别与控制芯片U8的第42引脚相连接;

通信隔离光耦PO1的第3引脚通过下拉电阻R20后外接外部供电负极;

通信隔离光耦PO1的第5引脚接地;

通信隔离光耦PO1的第6引脚接地同时与上拉电阻R21的一端相连接,同时控制芯片U8的第41引脚相连接;上拉电阻R21的另一端外接电源VCC;

通信隔离光耦PO1的第7引脚外接外部供电负极;

通信隔离光耦PO1的第8引脚通过上拉电阻R72后外接5V电压。

2.根据权利要求1所述的一种智能光伏电站模拟仪的采集板电路,其特征在于所述的控制芯片U8的型号为STM8L151C8T6。

3.根据权利要求1所述的一种智能光伏电站模拟仪的采集板电路,其特征在于所述的N沟道MOS管U3和U5的型号均为IRF7820;所述的N沟道MOS管U2和U4的型号均为FDS3672。

4.根据权利要求1所述的一种智能光伏电站模拟仪的采集板电路,其特征在于所述的降压芯片UP的型号为B0503XT,升压芯片U1的型号为B0512S‑1W。