1.一种微显示器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；以及，

形成在所述半导体衬底上的全彩色显示阵列，其中，所述全彩色显示阵列包括至少一个独立发光的RGB像素，所述RGB像素包括R像素单元、G像素单元和B像素单元，所述RGB像素是基于液相外延法以及分子束外延法形成在所述半导体衬底上。

2.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，所述R像素单元、所述G像素单元、所述B像素单元均包括依次沉积的N型GaN外延层、InGaN多量子阱层、P型GaN层、电流拓展层、P型电极；其中，所述N型GaN外延层是基于所述液相外延法制备得到的；所述InGaN多量子阱层是基于所述分子束外延法制备得到的；所述P型GaN层、所述电流拓展层、所述P型电极是基于所述液相外延法工艺或所述分子束外延法制备得到的；所述R像素单元、所述G像素单元和所述B像素单元的InGaN多量子阱层的In含量不同。

3.根据权利要求2所述的微显示器件，其特征在于，所述R像素单元中InGaN多量子阱层的In组分的原子比含量为0.15-0.25；所述G像素单元中InGaN多量子阱层的In组分的原子比含量为0.35-0.4；所述B像素单元中InGaN多量子阱层的In组分的原子比含量为0.4-0.5。

4.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，所述RGB像素为多个，多个所述RGB像素各自独立发光；所述微显示器件还包括：在相邻的所述RGB像素之间形成的黑色遮光墙。

5.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，所述半导体衬底为蓝宝石衬底。

6.一种显示面板，其特征在于，包括：驱动背板以及如权利要求1-5任一项所述的微显示器件，所述驱动背板与所述微显示器件通过倒装焊键合。

7.一种微显示器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成全彩色显示阵列；其中，所述全彩色显示阵列包括至少一个独立发光的RGB像素，所述RGB像素包括R像素单元、G像素单元和B像素单元，所述RGB像素是基于液相外延法工艺以及分子束外延法形成在所述半导体衬底上。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述半导体衬底上形成全彩色显示阵列，包括：通过所述液相外延法生长N型GaN外延层；

对所述N型GaN外延层进行磨抛减薄，以得到预设厚度的N型GaN外延层；

通过所述分子束外延法将不同In组分含量的InGaN多量子阱层制备在所述预设厚度的N型GaN外延层上，以形成所述全彩色显示阵列的发光层；

通过所述液相外延法或所述分子束外延法在所述全彩色显示阵列的发光层上生长P型GaN层/电流扩展层/P型电极，以形成全彩色显示阵列。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述R像素单元中InGaN多量子阱层的In组分的原子比含量为0.15-0.25；所述G像素单元中InGaN多量子阱层的In组分的原子比含量为0.35-0.4；B像素单元中InGaN多量子阱层的In组分的原子比含量为0.4-0.5。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述RGB像素为多个，所述方法还包括：通过光刻工艺刻蚀出隔离通道，所述隔离通道用于将相邻的所述RGB像素隔离以使多个所述RGB像素各自独立发光；

在相邻的所述RGB像素之间的所述隔离通道内制备黑色遮光墙。