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专利号: 2018111300741
申请人: 河南大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种石墨烯包覆纳米氧化铬负极材料的原位生长方法,其特征在于步骤如下:(1)对纳米氧化铬进行表面碳化:将氧化铬纳米材料盛放于石英舟中,置于高温管式炉中,在氩气气氛下升温至600-800℃,通入甲烷10-30 min,得到碳化氧化铬纳米材料;

(2)石墨烯包覆层的沉积:向步骤(1)得到的碳化氧化铬纳米材料中通入载气,同时通入碳源升温反应,进行化学气相沉积反应生长石墨烯;

(3)步骤(2)石墨烯生长完毕后,关闭碳源,调低载气流量,降至室温后关闭载气,得到石墨烯包覆纳米氧化铬负极材料。

2.根据权利要求1所述的石墨烯包覆纳米氧化铬负极材料的原位生长方法,其特征在于:所述步骤(1)中氩气流量为50-1000毫升/分钟,甲烷流量为10-100毫升/分钟。

3.根据权利要求1所述的石墨烯包覆纳米氧化铬负极材料的原位生长方法,其特征在于:所述步骤(2)中碳源为甲烷、乙醇蒸汽或乙烯中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的石墨烯包覆纳米氧化铬负极材料的原位生长方法,其特征在于:所述步骤(2)中载气为氩气和氢气的混合气体,氩气与氢气的流量比为(1-10):1。

5. 根据权利要求1-4任一项所述的石墨烯包覆纳米氧化铬负极材料的原位生长方法,其特征在于:所述步骤(2)化学气相沉积为常压环境,反应温度为950-1000℃,反应时间为

5-60min,载气和碳源的混合气氛中,碳源的体积分数为5-28 %。

6. 根据权利要求1-4任一项所述的石墨烯包覆纳米氧化铬负极材料的原位生长方法,其特征在于:所述步骤(2)化学气相沉积为低压环境,反应温度为950-1000℃,反应时间为

0.5-5h,分压为250-900Pa,载气和碳源的混合气氛中,碳源的体积分数为5-28 %。