1.一种隔直型并联谐振无线充电发射端，其特征在于，包括依次连接设置的可控升降压模块(2)和并联谐振模块(3)，所述并联谐振模块(3)包括并联设置的电感L1和电容C2，以及串联设置的MOS管Q5，所述电感L1和电容C2的一端与所述可控升降压模块(2)的输出端相连，另一端连接至所述MOS管Q5的漏极，所述MOS管Q5的源极接地。

2.如权利要求1所述的隔直型并联谐振无线充电发射端，其特征在于，所述并联谐振模块还包括串联在所述电容C2前端的电容C1，所述电容C1的一端连接至所述可控升降压模块(2)的输出端，另一端与所述电容C2串联并接地。

3.如权利要求1所述的隔直型并联谐振无线充电发射端，其特征在于，所述可控升降压模块(2)包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、电感L2以及电容C3，所述MOS管Q1的漏极与所述去耦模块(1)的输出端相连，所述MOS管Q1的源极与所述MOS管Q3的漏极相连，所述MOS管Q2的源极与所述MOS管Q4的漏极相连，所述电感L2的一端连接至所述MOS管Q1的源极和所述MOS管Q3的漏极，另一端连接至所述MOS管Q2的源极和所述MOS管Q4的漏极；

所述电容C3的一端与所述MOS管Q3的源极、以及所述MOS管Q4的源极接地，所述电容C3的另一端与所述MOS管Q2的漏极作为所述可控升降压模块(2)的输出端连接至所述并联谐振模块(3)的输入端。

4.如权利要求1所述的隔直型并联谐振无线充电发射端，其特征在于，还包括设置在电源端的去耦模块(1)，所述去耦模块(1)包括多个并联设置的去耦电容。

5.如权利要求4所述的隔直型并联谐振无线充电发射端，其特征在于，所述去耦电容设置有5个，分别为470μF的去耦电容C4，22μF的去耦电容C5，0.02μF的去耦电容C6，0.1μF的去耦电容C7和10μF的去耦电容C8。