1.一种隔直型并联谐振无线充电发射端，其特征在于，包括依次连接设置的去耦模块(1)、可控升降压模块(2)和并联谐振模块(3)，所述去耦模块(1)包括多个并联设置的去耦电容，所述并联谐振模块(3)包括电感L1、电容C1、电容C2以及MOS管Q5，其中电感L1和电容C2构成串联支路连接在可控升降压模块(2)的输出端和接地端之间，所述MOS管Q5并联在电容C2的两端，且MOS管Q5的漏极与电感L1和电容C2的公共连接端相连，MOS管Q5的源极接地，所述电容C1与电感L1和电容C2构成串联支路整体并联。

2.如权利要求1所述的隔直型并联谐振无线充电发射端，其特征在于，所述可控升降压模块(2)包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、电感L2以及电容C3，所述MOS管Q1的漏极与所述去耦模块(1)的输出端相连，所述MOS管Q1的源极与所述MOS管Q3的漏极相连，所述MOS管Q2的源极与所述MOS管Q4的漏极相连，所述电感L2的一端连接至所述MOS管Q1的源极和所述MOS管Q3的漏极，另一端连接至所述MOS管Q2的源极和所述MOS管Q4的漏极；

所述电容C3的一端与所述MOS管Q3的源极、以及所述MOS管Q4的源极接地，所述电容C3的另一端与所述MOS管Q2的漏极作为所述可控升降压模块(2)的输出端连接至所述并联谐振模块(3)的输入端。

3.如权利要求1所述的隔直型并联谐振无线充电发射端，其特征在于，所述去耦电容设置有5个，分别为470μF的去耦电容C4，22μF的去耦电容C5，0.02μF的去耦电容C6，0.1μF的去耦电容C7和10μF的去耦电容C8。