1.一种半导体探测器，其特征在于，包括：半导体晶体、阴极和阳极；

所述半导体晶体包括相对设置于所述半导体晶体两侧的第一面和第二面；

所述阴极设于所述半导体晶体的第一面；

所述阳极设于所述半导体晶体的第二面，所述阳极包括：收集电极和权重栅电极，所述权重栅电极围绕所述收集电极呈均匀空间阵列布置；其中，所述收集电极、所述权重栅电极中至少一个为三维复合结构电极。

2.根据权利要求1所述的半导体探测器，其特征在于，所述收集电极和所述权重栅电极均为，沿着所述第二面向所述第一面的纵深方向延展的三维复合结构电极。

3.根据权利要求1所述的半导体探测器，其特征在于，所述权重栅电极为平面结构电极，所述收集电极为沿着所述第二面向所述第一面的纵深方向延展的三维复合结构电极。

4.根据权利要求1所述的半导体探测器，其特征在于，所述权重栅电极为沿着所述第二面向所述第一面的纵深方向延展的三维复合结构电极，所述收集电极为平面结构电极。

5.根据权利要求1所述的半导体探测器，其特征在于，所述权重栅电极悬空处理。

6.根据权利要求1所述的半导体探测器，其特征在于，所述半导体晶体设有保护环，所述权重栅电极通过导线与所述保护环连接。

7.根据权利要求1所述的半导体探测器，其特征在于，以所述收集电极为中心，其周围的多个所述权重栅电极通过导线闭环连接。

8.根据权利要求1所述的半导体探测器，其特征在于，所述半导体晶体为碲锌镉CdZnTe晶体。

9.根据权利要求1所述的半导体探测器，其特征在于，制作所述阴极或所述阳极的材料包括：金Au或铟In。

10.一种半导体探测器制备方法，其特征在于，所述方法应用于制备如权利要求1-9任一项所述的半导体探测器，所述方法包括：在飞秒激光烧蚀加工光路平台上，对所述半导体晶体进行飞秒激光烧蚀，在所述半导体晶体的第二面形成向第一面的纵深方向延展的三维复合结构；

在具有所述三维复合结构的半导体晶体上制备阳极和阴极；其中，所述阳极包括收集电极和围绕所述收集电极布设的权重栅电极。