1.一种耐腐蚀自清洁石墨烯涂层薄膜，其特征在于，包括氧化石墨烯和聚二甲基硅氧烷，所述氧化石墨烯占聚二甲基硅氧烷的质量比为0.5～30％，所述耐腐蚀自清洁石墨烯涂层薄膜表面加工有间隔排列的若干凸包结构。

2.根据权利要求1所述的耐腐蚀自清洁石墨烯涂层薄膜，其特征在于，所述凸包的直径为100～800μm，所述凸包的高度为20～800μm，所述凸包的间距为150～800μm。

3.一种耐腐蚀自清洁石墨烯涂层薄膜，其特征在于，包括氧化石墨烯和聚二甲基硅氧烷，所述氧化石墨烯占聚二甲基硅氧烷的质量比为0.5～30％，所述耐腐蚀自清洁石墨烯涂层薄膜表面加工有间隔排列的若干凹坑结构。

4.根据权利要求3所述的耐腐蚀自清洁石墨烯涂层薄膜，其特征在于，所述凹坑的直径为100～800μm，所述凹坑的深度为20～800μm，所述凹坑的间距为150～800μm。

5.根据权利要求1或3所述的耐腐蚀自清洁石墨烯涂层薄膜，其特征在于，所述氧化石墨烯占聚二甲基硅氧烷的质量比为5～10％。

6.一种耐腐蚀自清洁石墨烯涂层薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、混合搅拌：将氧化石墨烯与聚二甲基硅氧烷搅拌混合均匀，所述氧化石墨烯占聚二甲基硅氧烷的质量比为0.5～30％；

S2、稀释搅拌：将步骤S1得到的混合物静置0.5小时以上，然后注入聚二甲基硅氧烷质量1～8倍的有机溶剂进行稀释，搅拌后获得前驱体液；

S3、真空除气固化：将前驱体液以旋涂方式镀膜于基底上，镀膜次数为1～10次，然后进行真空干燥固化；

S4、采用激光加工在真空干燥固化的薄膜表面制备均匀间隔排列的若干凸包或凹坑结构，对制备好的耐腐蚀自清洁石墨烯涂层薄膜进行超声清洗。

7.根据权利要求6所述的耐腐蚀自清洁石墨烯涂层薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化石墨烯占聚二甲基硅氧烷的质量比为5～10％。

8.根据权利要求6所述的耐腐蚀自清洁石墨烯涂层薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为甲苯、苯、二甲苯、氯仿和二氯甲烷中的一种。

9.根据权利要求6所述的耐腐蚀自清洁石墨烯涂层薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S3真空除气固化时，温度为50～220摄氏度，时间为0.5小时以上。