1.一种草酸盐纳米片阵列薄膜电极，其特征在于，包括导电基片和附着于所述导电基片表面的草酸盐纳米片阵列薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种草酸盐纳米片阵列薄膜电极，其特征在于，所述草酸盐纳米片阵列薄膜为多孔结构。

3.根据权利要求1所述的一种草酸盐纳米片阵列薄膜电极，其特征在于，所述草酸盐纳米片阵列薄膜的厚度为0.5μm～3μm；单个草酸盐纳米片的厚度为10nm～100nm。

4.一种制备如权利要求1所述草酸盐纳米片阵列薄膜电极的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、向水热釜中加入去离子水，然后加入可溶性草酸盐，搅拌30min～60min后加入过渡金属盐，搅拌20min～40min，得到混合溶液；

步骤二、将经超声刻蚀处理的导电基片放入步骤一所述混合溶液中，密封所述水热釜进行水热反应；

步骤三、取出导电基片，用去离子水冲洗，烘干，得到草酸盐纳米片阵列薄膜电极。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤一中所述可溶性草酸盐包括草酸钠、草酸钾或草酸铵；步骤一中所述过渡金属盐包括镍盐或钴盐，所述镍盐包括硝酸镍、硫酸镍或醋酸镍，所述钴盐包括硝酸钴、硫酸钴或醋酸钴。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤一中每70mL去离子水中加入可溶性草酸盐的量为2mmol～4mmol，过渡金属盐的量为2mmol～4mmol；步骤一中所述搅拌均为磁力搅拌。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤二中所述导电基片包括不锈钢、钛、镍或铜。

8.根据权利要求4或7所述的方法，其特征在于，所述导电基片为致密型导电基片或具有多孔结构的导电基片。

9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤二中所述超声刻蚀处理的方法为：将清洗干净的导电基片置于1.0mol/L～6.0mol/L的盐酸溶液中超声刻蚀15min～30min，将超声刻蚀后的导电基片用去离子水清洗干净。

10.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤二中所述水热反应的温度为130℃～

180℃，水热反应时间为3h～24h。