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专利号: 2018112193111
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种金属透明电极,其特征在于:从下到上依次包括籽晶层、分子自组装层、导电层;

所述导电层为Ag薄膜和团簇Ag的复合膜,导电层的厚度为1‑20nm;

所述分子自组装层为11‑巯基十一烷酸和对苯甲酸乙腈的复合膜,11‑巯基十一烷酸和对苯甲酸乙腈的重量比为1‑1000:1,分子自组装层的厚度为1‑5nm;

所述籽晶层为ZnO薄膜,厚度为10‑100nm。

2.根据权利要求1所述的一种金属透明电极的制备方法,其特征在于:该方法具体为:

对玻璃衬底依次用洗涤剂、异丙醇、乙醇、丙酮进行超声清洗,清洗后用氮气吹干;在玻璃衬底表面通过旋涂法制备10‑100nm的ZnO籽晶层,并将所形成的薄膜进行退火,退火温度为200℃,退火时间为2小时;然后在ZnO籽晶层上旋涂11‑巯基十一烷酸和对苯甲酸乙腈分子自组装层,11‑巯基十一烷酸和对苯甲酸乙腈的重量比为1‑1000:1;通过真空热蒸镀法沉积1‑20nm的Ag作为导电层,形成金属透明电极。

3.一种由权利要求1所述一种金属透明电极构成的有机太阳电池,其特征在于:从下到上依次包括衬底、金属透明电极、阴极缓冲层、光活性层、阳极缓冲层、背电极,金属透明电极包括籽晶层、分子自组装层、导电层。

4.根据权利要求3所述的一种金属透明电极构成的有机太阳电池,其特征在于:所述衬底材料为玻璃或聚酯薄膜;所述阴极缓冲层材料为ZnO;所述光活性层为PTB7‑Th和PC71BM的混合膜;所述阳极缓冲层材料为MoO3;所述背电极材料为Ag。