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专利号: 2018112322381
申请人: 吴振江
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本上无切削的金属机械加工;金属冲压
更新日期:2024-11-21
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种复合金属箔,其特征在于,所述复合金属箔包括中间层及包覆在中间层两侧的面层,复合金属箔的总厚度为10μm-600μm;所述中间层按重量百分比包含如下元素:锌Zn 

15%-45%、银Ag 0.1%-1.5%、镍Ni 0.001%-0.01%、锆Zr 0.005%-0.03%、钪Sc 

0.002%-0.008%,钕Nd 0.005%-0.05%,余量为铜Cu;所述面层按重量百分比包含如下元素:锰Mn 0.8%-2%、锌Zn 22%-31%、铜Cu 10%-20%、钇Y 0.001%-0.02%、钕Nd 

0.001%-0.08%,余量为银Ag,其中,所述中间层材料中Zr、Sc和Nd的重量百分比合计为

0.013%-0.072%;所述面层材料中Y的重量百分比与Nd的重量百分比的比值为1:2-1:4。

2.根据权利要求1所述的复合金属箔,其特征在于,当所述复合金属箔的总厚度不大于

100μm时,中间层厚度占总厚度的5%-12%;当所述复合金属箔的总厚度大于100μm且不大于200μm时,中间层厚度占总厚度的15%-25%;当所述复合金属箔的总厚度大于200μm时,中间层厚度占总厚度的30%-55%。

3.根据权利要求1-2任一所述的复合金属箔,其特征在于,所述复合金属箔中间层两侧的面层厚度的比值为1:1-1:3。

4.根据权利要求1-2任一所述的复合金属箔,其特征在于,所述复合金属箔为带状、片状、或者中空圆环状。

5.根据权利要求1-2任一所述的复合金属箔材料,其特征在于,所述复合金属箔的晶粒平均粒径小于或者等于35μm,固相线温度小于或者等于538℃、液相线温度小于或者等于

603℃、润湿角小于或者等于2°。

6.一种基于权利要求1-5任一所述的复合金属箔的制造方法,其特征在于,所述方法包括:一、中间层带坯制备

1)按重量百分比包含如下元素:锌Zn 15%-45%、银Ag 0.1%-1.5%、镍Ni 0.001%-

0.01%、锆Zr 0.005%-0.03%、钪Sc 0.002%-0.008%,钕Nd 0.005%-0.05%,余量为铜Cu;其中,Zr、Sc和Nd的重量百分比合计为0.013%-0.072%;进行配料,以此准备铜锭和铜中间合金;

2)将所述铜锭在真空条件下快速熔化,熔化温度1200℃-1280℃,得到铜熔体;保温至

1150℃-1200℃,电磁搅拌10min-15min,精炼、除渣和除气处理;添加各中间合金,电磁搅拌

10min,再次精炼处理,静置15min,得到铜合金熔体;

3)使铜合金熔体通过加热铸型器和冷却器,对铜合金熔体进行水平半固态连续定向凝固成型,得到厚度为5mm-10mm的铜合金铸坯,浇铸温度635℃-680℃;

4)铜合金铸坯经过连续轧制,粗轧温度765℃-820℃,终轧温度580℃-625℃,得到厚度为1mm-3mm铜合金带坯;

二、面层带坯制备

1)按重量百分比包含如下元素:锰Mn 0.8%-2%、锌Zn 22%-31%、铜Cu 10%-20%、钇Y 0.001%-0.02%、钕Nd 0.001%-0.08%,余量为银Ag;其中,Y的重量百分比与Nd的重量百分比的比值为1:2-1:4,进行配料,以此准备银锭和银中间合金;

2)将所述银锭在真空条件下快速熔化,熔化温度1100℃-1280℃,得到银熔体;保温至

1220℃-1250℃,电磁搅拌10min-15min,精炼、除渣和除气处理;添加各中间合金,电磁搅拌

10min,再次精炼处理,静置15min,得到银合金熔体;

3)使银合金熔体通过加热铸型器和冷却器,对银合金熔体进行水平半固态连续定向凝固成型,得到厚度为1mm-5mm的银合金铸坯,浇铸温度620℃-655℃;

4)银合金铸坯经过连续轧制,粗轧温度520℃-585℃,终轧温度350℃-425℃,得到厚度为1mm-3mm银合金带坯;

三、复合

1)将经过表面清理及校直处理后的铜合金带坯与银合金带坯进行配位;

2)热轧复合处理;

3)第一热处理,热处理温度435℃-475℃,热处理时间30min-90min;

4)多道次精轧,最后一道次精轧压下率不大于25%,其余各道次压下率为30%-45%;

5)第二热处理,热处理温度325℃-385℃,热处理时间60min-125min;

6)精整及剪裁;

得到复合金属箔。

7.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述热轧复合处理在惰性气体保护下进行,复合处理温度为520℃-580℃,形变压下率为85%-90%。

8.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述第一热处理与第二热处理在真空条件下进行。