1.金纳米双锥在提高有机发光二极管器件的发光性能中的应用。

2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述的金纳米双锥的横向吸收峰为525nm，纵向吸收峰大于600nm。

3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，所述金纳米双锥的纵横比为80nm：40nm。

4.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述的提高发光性能是通过调节金纳米双锥的纵横比，使其表面等离激元共振吸收带与发光材料的吸收和发射光谱分别重叠来实现的。

5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于：所述的发光材料为红光材料、深红光材料、近红外光材料中的任意一种。

6.一种金纳米双锥杂化的有机发光二极管器件，其特征在于：包括导电玻璃ITO层、金纳米双锥层、电子传输层、发光层、氧化钼层和金属银电极层。

7.根据权利要求6所述的金纳米双锥杂化的有机发光二极管器件，其特征在于：所述的电子传输层为氧化锌。

8.根据权利要求6所述的金纳米双锥杂化的有机发光二极管器件，其特征在于：所述的发光层为MEH-PPV。

9.一种根据权利要求6所述的金纳米双锥杂化的有机发光二极管器件的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：（1）在导电玻璃ITO上通过静电吸附自组装的方法沉积一层金纳米双锥；

（2）再通过旋涂的方法制备一薄层氧化锌作为电子传输层；

（3）随后再旋涂一层发光材料；

（4）最后通过蒸镀的方法制备氧化钼和金属银电极。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述的金纳米双锥和发光材料之间的间隔为6 12nm。

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11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述的发光材料厚度控制为70~

100nm。