1.一种能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器，自上而下依次是上电极(1)、欧姆接触层(2)、上分布布拉格反射镜(3)、氧化物限制层(4)、有源增益区(5)、下分布布拉格反射镜(6)、衬底(7)、下电极(8)；欧姆接触层(2)、上分布布拉格反射镜(3)以及有源增益区(5)层叠在一起构成一个空心圆柱，该空心圆柱的内径为85～95μm、外径为115～125μm；氧化物限制层(4)的形状为环形，所述环形的宽度为3～5μm，所述环形的外径与所述空心圆柱的外径相同；在所述空心圆柱中有高阻区(9)，高阻区(9)的底面与下分布布拉格反射镜(6)接触，高阻区(9)的顶面的高度高于上分布布拉格反射镜(3)的内镜面、低于上分布布拉格反射镜(3)的外镜面；其特征在于，上电极(1)位于欧姆接触层(2)上表面边缘的局部区域，下电极(8)位于衬底(7)下表面边缘的局部区域，上电极(1)的几何中心、下电极(8)的几何中心的连线与激光器轴线相交，上电极(1)的圆心角(θ′)、下电极的圆心角(θ″)均在

30°～90°范围内。

2.根据权利要求1所述的能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，上电极(1)、下电极(8)的形状为弓形，或者为圆心角在30°～90°范围内的环形。