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专利号: 2018113063261
申请人: 浙江工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种使用高碳含量物质对高分散气相二氧化硅表面进行改性的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:

1)气相二氧化硅是通过高温水解四氯化硅制备而得的,二氧化硅的比表面积为300m2/g,颗粒的平均尺寸为7-10nm;

2)对气相二氧化硅并进行表面改性,以液态聚甲基苯基硅氧烷作为改性剂,在180–320℃温度范围内对气相二氧化硅修饰1小时,硅树脂的用量为二氧化硅重量的15-20%;

所述步骤2)中,改性剂中添加碳酸烷基酯,碳酸烷基酯的投入量为0.6mmol/g~

1.8mmol/g二氧化硅,即每克二氧化硅投加0.6mmol~1.8mmol的碳酸烷基酯。

2.如权利要求1所述的一种使用高碳含量物质对高分散气相二氧化硅表面进行改性的方法,其特征在于,所述步骤2)中,改性过程在带有搅拌器的玻璃反应装置中进行,搅拌器的转速为400-1200rpm,反应装置中投入二氧化硅微粉后,向其中通入氮气以排除空气,加热到150℃,通入氮气结束后,用气雾喷雾器将修饰剂通过反应器的喷嘴注入,物理吸附反应物的移除通过索氏提取器,以正己烷为提取剂,在68℃条件下反应1小时,清洗后样品在

80℃烘干2小时。