1.一种长余辉材料，包括碳点与基质，其特征在于：所述的碳点复合到所述的基质中，所述的长余辉材料为玻璃态。

2.根据权利要求1所述的长余辉材料，其特征在于：所述的玻璃态为通过一步热处理以形成；

所述的长余辉材料为不含重金属的长余辉材料；

所述的基质为含硼无机物或含铝无机物至少一种；

所述的长余辉材料具有荧光性质、RTP性质和延迟荧光性质。

3.根据权利要求1所述的长余辉材料，其特征在于：所述的碳点与基质按质量比为(0.001～0.08):(1～3)进行配比；

所述的长余辉材料为不含金属的长余辉材料；

所述的基质为硼酸、氧化硼、硼酸盐、铝酸、氯化铝、铝酸盐中的至少一种。

4.权利要求1～3任一项所述的长余辉材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将碳点与所述的基质混合均匀，在至少140℃的温度下进行热处理，使混合物形成熔融状态，冷却后即得所述的长余辉材料。

5.根据权利要求4所述的长余辉材料的制备方法，其特征在于：所述的碳点可以是不含杂原子的碳点或含掺杂元素的碳点；

所述的热处理的温度为140℃～1000℃；

所述的热处理的时间为2～10小时。

6.根据权利要求5所述的长余辉材料的制备方法，其特征在于：所述的掺杂元素包括N、S、B中的至少一种；

所述的热处理的温度为140℃～500℃；

所述的热处理的时间为4～7小时。

7.根据权利要求4所述的长余辉材料的制备方法，其特征在于：所述的碳点为不含杂原子的碳点；

所述的碳点可通过常规方法制备得到；

所述的碳点为经过前处理步骤得到的碳点，所述的前处理包括分离提纯。

8.根据权利要求7所述的长余辉材料的制备方法，其特征在于：所述的分离提纯包括透析，离心，过滤和干燥；

所述的制备碳点的反应温度为160～240℃，反应时间为6～24小时。

9.权利要求1～3任一项所述的长余辉材料在光电子学中的应用。

10.根据权利要求9所述的长余辉材料在光电子学中的应用，其特征在于：所述的长余辉材料在防伪技术和信息加密领域中的应用。