1.凹凸棒石/g-C3N4/MoS2异质结复合材料，其特征在于，所述的复合材料是以凹凸棒石作为载体，在载体上负载有g-C3N4薄层，并且在g-C3N4薄层表面还负载有MoS2纳米片。

2.根据权利要求1所述的凹凸棒石/g-C3N4/MoS2异质结复合材料，其特征在于，g-C3N4薄层与MoS2纳米片之间的连接结构式是：。

3.根据权利要求1所述的凹凸棒石/g-C3N4/MoS2异质结复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：第1步，ATP/g-C3N4薄层材料制备：在凹凸棒石的表面接枝硅烷偶联剂，再将接枝偶联剂的凹凸棒石、去离子水、三聚氰胺混合后回流反应，将产物干燥、研磨、焙烧后，得到ATP/g-C3N4薄层材料；

第2步，MoS2纳米片的制备：将草酸、二水钼酸钠、硫脲混合在去离子水中，水热反应后，将产物洗涤、烘干，得到MoS2纳米片；

第3步，MoS2纳米片进行羧基化处理：MoS2纳米片分散于去离子水中，再加入溴乙酸处理，产物经洗涤、烘干后，得到表面富含羧基的O-MoS2纳米片；

第4步，MoS2纳米片在ATP/g-C3N4薄层材料表面的负载：将表面富含羧基的O-MoS2纳米片和ATP/g-C3N4薄层材料混合于去离子水中，并回流反应处理，产物经洗涤、烘干，得到ATP/g-C3N4/MoS2异质结复合材料。

4.根据权利要求3所述的凹凸棒石/g-C3N4/MoS2异质结复合材料的制备方法，其特征在于，草酸与二水钼酸钠的质量比1:2，草酸与硫脲的质量比=1:3。

5.根据权利要求3所述的凹凸棒石/g-C3N4/MoS2异质结复合材料的制备方法，其特征在于，溴乙酸的加入重量为MoS2纳米片重量的10倍。

6.根据权利要求3所述的凹凸棒石/g-C3N4/MoS2异质结复合材料的制备方法，其特征在于，O-MoS2纳米片的重量是ATP/g-C3N4的重量的10～50%，回流反应处理条件为70～90℃下冷凝回流2～4h。

7.凹凸棒石/g-C3N4/MoS2异质结复合材料在光催化中的应用。

8.表面含羧基的O-MoS2纳米片在提高凹凸棒石/g-C3N4光催化效果中的应用。

9.一种提高g-C3N4/MoS2复合材料的光催化效果的方法，其特征在于：利用ATP/g-C3N4薄层边缘的氨基与表面羧基化改性的O-MoS2纳米片进行酰基化反应。