1.一种硫掺杂氧化钴与硫、氮、氧掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，具体制备方法为：

（1）将硝酸钴溶于去离子水中，利用电沉积在导电基底上生长片状氢氧化钴阵列，再将氢氧化钴阵列于空气中退火形成多孔、片状氧化钴阵列，所述的硝酸钴水溶液浓度为50~

200 mM，电沉积时间为90 360 s，工作电极相对于饱和甘汞电极的电位为 ‑0.9 ‑1.2 V；

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（2）将溶有曲拉通Tx‑100与硫脲的前躯液涂布到上述生长有氧化钴阵列的基底上，所述的前躯液中曲拉通Tx‑100与溶剂的体积比为0.1 0.35，硫脲的浓度为1000 2000 mM，所~ ~

述的溶剂为N,N‑二甲基甲酰胺，干燥后于Ar气或N2气中500‑700℃退火1~3 h，即制备得到硫掺杂氧化钴与硫、氮、氧掺杂碳原位复合电极。

2.根据权利要求1所述的硫掺杂氧化钴与硫、氮、氧掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，所述的导电基底包括碳布、石墨纸、泡沫铜或镍中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的硫掺杂氧化钴与硫、氮、氧掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，所述的空气中退火的温度为300 500℃，退火时间为0.5 2 h。

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4.根据权利要求1所述的硫掺杂氧化钴与硫、氮、氧掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，所述的Ar气或N2气中600℃退火反应，退火时间为2 h。