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专利号: 201811334949X
申请人: 桂林理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2023-12-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种钙钛矿太阳电池组件,其特征在于该钙钛矿太阳电池组件包括上层导电玻璃、上层电子传输体、多功能镍网、下层电子传输体、下层导电玻璃、电极、玻璃粘接剂;该钙钛矿太阳电池组件结构为三明治结构,从上至下分别为上层导电玻璃、上层电子传输体、多功能镍网、下层电子传输体和下层导电玻璃,上层导电玻璃与多功能镍网之间的缝隙用上层电子传输体紧密填充,下层导电玻璃与多功能镍网之间的缝隙用下层电子传输体紧密填充;多功能镍网由外至内依次包括钙钛矿吸收层、NiO和Ni;上层电子传输体和下层电子传输体均由CdS薄膜和CdS纳米颗粒共同组成,CdS纳米颗粒紧密包覆和填充在CdS薄膜A或CdS薄膜B和多功能镍网之间;电极包括负极A、负极B和正极;

所述多功能镍网,通过在镍网表面高温氧化处理获得NiO层,再在NiO层上沉积钙钛矿即获得钙钛矿吸收层;镍网厚度为200 2000nm,网孔大小为100nm×100nm 2000nm×~ ~

2000nm;钙钛矿吸收层厚度为100 2000nm;镍网能够用铜网、钼网替代;NiO作为空穴传输~层,使得“上层电子传输体/多功能镍网/下层电子传输体”构成为“n/i/p/i/n”的多个异质结界面;

所述上层导电玻璃或下层导电玻璃为“导电玻璃片/Mo薄膜/ITO薄膜/ZnO薄膜”、“导电玻璃片/ITO薄膜/ZnO薄膜”和“导电玻璃片/Mo薄膜/FTO薄膜/ZnO薄膜”中的一种;其中ITO薄膜厚度为5 100nm;Mo薄膜厚度为10 500nm;FTO薄膜厚度为10 100nm;CdS薄膜厚度为5~ ~ ~ ~

100nm;ZnO薄膜厚度为10 200nm;

~

所述上层导电玻璃从其ITO薄膜引出负极A,下层导电玻璃从其ITO薄膜引出负极B;多功能镍网引出镍丝作为正极;

所述玻璃粘结剂用于密封钙钛矿太阳电池组件。