1.一种用于硅基底的氧化硅刻蚀模板的制备方法，其特征在于，所述硅基底的表面具有硅层和硅氧化层，所述制备方法包括如下步骤：选择一预设图案，所述预设图案由像素矩阵构成，所述像素矩阵包括多个像素点组成，每个所述像素点对应一灰度值；

将每个所述像素点对应的灰度值转化为与所述像素点位置对应的所述硅氧化层上单位区域的尺寸；

根据所有所述单位区域的尺寸输出一矢量图形，所述矢量图形包含所有与所述预设图案的每个像素点对应的单位区域的形状与尺寸；

将所述矢量图形输入至一激光打标机内，利用所述矢量图形引导所述激光打标机的激光束走向，从所述硅氧化层向所述硅层方向烧蚀，以在所述硅氧化层上的多个单位区域形成与所述矢量图形对应的多个凹口，从而制备获得氧化硅刻蚀模板。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将每个所述像素点对应的灰度值转化为与所述像素点位置对应的所述硅氧化层上单位区域的尺寸之前，还包括如下步骤：利用一编程软件打开所述预设图案，并读取所述预设图案对应的灰度矩阵，所述灰度矩阵包含每个所述像素点对应的灰度值；

根据所有所述单位区域的尺寸输出一矢量图形包括如下步骤：输出包含有所述硅氧化层上所有单位区域尺寸的矢量图形文件；

根据所述矢量图形文件在一平面绘图软件中绘制出所述矢量图形文件中对应的矢量图形。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在根据所有所述单位区域的尺寸输出一矢量图形、将所述矢量图形输入至一激光打标机内之间还包括如下步骤：调整所述激光打标机的各项参数，以在烧蚀的后续步骤中所述激光束仅能烧蚀所述硅氧化层。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述激光打标机的所述各项参数至少包含所述激光打标机的频率、扫描速度、扫描频次和Z轴高度；

其中，所述激光打标机的频率范围为50‑65kHz，所述激光打标机的所述扫描速度的范围为135‑150mm/s，所述激光打标机的所述扫描次数范围为1‑3次，所述激光打标机的所述Z轴高度范围为40‑60mm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述单位区域的形状选择为方形或圆形。

6.一种硅基底的图案化方法，其特征在于，包括如下步骤：由权利要求1‑5中任一项所述的制备方法制备获得氧化硅刻蚀模板；

利用所述氧化硅刻蚀模板通过湿法刻蚀的方法在所述多个凹口处向所述硅基底内部刻蚀，以在所述硅基底上形成在视觉上与所述预设图案保持一致的图案。

7.根据权利要求6所述的图案化方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的方法中，所用的刻蚀液为碱性溶液，所用溶质为碱性溶质。

8.一种由权利要求1‑5中任一项所述的制备方法制备而成的硅基底，其特征在于，所述硅基底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述硅基底包括：多种硅微结构，所述多种硅微结构具有不同的反射率，每种所述硅微结构包括多个反射率相同的硅微单元，每个所述硅微单元均被构造成在所述硅基底上，并从所述硅基底的所述第一表面向靠近所述第二表面的方向刻蚀预定深度；其中每种所述硅微结构的数量以及所有所述硅微单元在所述硅基底上的排布方式均根据一预设图案来确定，使所有所述硅微单元共同组成的图案在视觉上与所述预设图案保持一致。

9.根据权利要求8所述的硅基底，其特征在于，所述多种硅微结构中的各硅微单元形状相同；并且

同种所述硅微结构中的各硅微单元尺寸相同，不同种所述硅微结构中的各硅微单元尺寸不同。

10.一种硅基底的应用，其特征在于，将如权利要求8‑9中任一项所述的硅基底应用在太阳能电池上。