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专利号: 2018113633636
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2023-07-20
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种毫米波放大器芯片测试腔体,包括输入接口腔体、输入端微带探针匹配结构加载腔体、毫米波放大器芯片加载腔体、输出端微带探针匹配结构加载腔体、输出接口腔体、第一电容组合腔体和第二电容组合腔体;其特征在于:所述的输入接口腔体、输入端微带探针匹配结构加载腔体、毫米波放大器芯片加载腔体、输出端微带探针匹配结构加载腔体和输出接口腔体依次连接;

所述的第一电容组合腔体、第二电容组合腔体分别设置在毫米波放大器芯片加载腔体的栅极电压侧、漏极电压侧;所述的第一电容组合腔体包括互相连通的第一芯片电容加载腔体和第一穿心电容加载腔体;第一芯片电容加载腔体与毫米波放大器芯片加载腔体的栅极电压侧连通;第二电容组合腔体包括互相连通的第二芯片电容加载腔体和第二穿心电容加载腔体;第二芯片电容加载腔体与毫米波放大器芯片加载腔体的漏极电压侧连通;

所述的第一电容组合腔体内设置有第一电容组件;第一电容组件包括通过键合线互相并联的芯片电容C1、芯片电容C2和穿心电容C3;第二电容组合腔体内设置有第二电容组件;

第二电容组件包括通过键合线互相并联的芯片电容C4、芯片电容C5和穿心电容C6;所述的芯片电容C1设置在第一芯片电容加载腔体内;所述的芯片电容C2设置在第一芯片电容加载腔体与第一穿心电容加载腔体的连接处;所述的穿心电容C3设置在第一穿心电容加载腔体内;所述穿心电容C3的一个接电线端与外部输入电压连接,另一个接电线接地;所述的芯片电容C4设置在第二芯片电容加载腔体内;所述的芯片电容C5设置在第二芯片电容加载腔体

6与第二穿心电容加载腔体的连接处;所述的穿心电容C6设置在第二穿心电容加载腔体内;

所述穿心电容C6的一个接电线与外部输入电压连接,另一个接电线端接地;

所述的输入端微带探针匹配结构加载腔体内设置有输入端微带探针匹配结构;所述的输出端微带探针匹配结构加载腔体内设置有输出端微带探针匹配结构;所述的输入端微带探针匹配结构和输出端微带探针匹配结构结构相同,均包括微带探针和微带匹配结构;微带探针与微带匹配结构的一端连接;微带匹配结构包括依次级联的n段阻抗线,2≤n≤6;输入端微带探针匹配结构内的微带探针伸入输入接口腔体;输出端微带探针匹配结构内的微带探针伸入输出接口腔体。

2.根据权利要求1所述的一种毫米波放大器芯片测试腔体,其特征在于:所述的输入端微带探针匹配结构及输出端微带探针匹配结构均采用石英基板或化合物集成电路加工工艺实现。

3.如权利要求1所述的一种毫米波放大器芯片测试腔体的测试方法,其特征在于:步骤一、将被测毫米波放大器芯片放入毫米波放大器芯片加载腔体;将第一电容组件放入第一电容组合腔体内;将第二电容组件放入第二电容组合腔体内;将输入端微带探针匹配结构放入输入端微带探针匹配结构加载腔体内;将输出端微带探针匹配结构放入输出端微带探针匹配结构加载腔体内;

步骤二、用键合线连接被测毫米波放大器芯片的输入端与输入端微带探针匹配结构内最远离微带探针的阻抗线、被测毫米波放大器芯片的输出端与输出端微带探针匹配结构内最远离微带探针的阻抗线;用键合线将被测毫米波放大器芯片的栅极供电接口与芯片电容C1并联;用键合线将被测毫米波放大器芯片的漏极供电接口与芯片电容C4并联;

步骤三、在穿心电容C3、穿心电容C6上分别接入栅极供电电压、漏极供电电压,为被测毫米波放大器芯片供电;从输入接口腔体输入毫米波输入信号;并在输出接口腔体接收放大后的毫米波输出信号;根据毫米波输出信号相对于毫米波输入信号的放大倍数,判断被测毫米波放大器芯片的性能。