1.一种调节GaSb纳米线探测器响应波长的方法，所述GaSb纳米线探测器包括：单根GaSb纳米线，GaSb纳米线两端的Cr/Au电极，Si衬底，Si衬底表面自然氧化层SiO2层，PECVD沉积在ITO薄膜之外区域的SiO2层，ITO规则周期图形薄膜层，ITO薄膜表面Au正电极，Si衬底背面用于在ITO材料上施加电场的Ni/Au负电极，其特征在于，这种方法采用电子束光刻技术将ITO规则周期图形结构制备在单根GaSb纳米线两侧，通过在ITO材料两侧施加电场改变ITO材料的表面等离子体共振频率，通过对ITO两端电场的调节，实现ITO材料表面等离子体共振频率的调节，进而改变GaSb纳米线探测器的特征响应波长，从而实现对GaSb纳米线探测器响应波长的连续调节。

2.根据权利要求1所述的一种调节GaSb纳米线探测器响应波长的方法，其特征在于，上述用于实现一种调节GaSb纳米线探测器响应波长的方法，具体实现方法如下：步骤一：采用分子束外延(MBE)在Si衬底上用Ga金属液滴自催化生长GaSb纳米线；

步骤二：将GaSb纳米线从Si衬底上剥离，采用电子束光刻技术制备单根纳米线探测器件；

步骤三：采用电子束光刻技术在纳米线周围制备ITO图形结构，并在ITO上下两端制备电极，构造电场调节表面等离子体增强频率的GaSb纳米线探测器原型器件；

步骤四：对ITO两端施加不同大小的电场，获得电场调节表面等离子体频率增强的GaSb单根纳米线探测器响应波长的连续可调。

3.根据权利要求1所述的一种调节GaSb纳米线探测器响应波长的方法，其特征在于，用于调节表面等离子体共振频率的ITO材料采用电子束光刻技术制备在单根GaSb纳米线的两侧，并在ITO材料正面制备Au正电极，在ITO材料背面Si衬底背面制备Ni/Au电极，所述正电极和所述负电极用于对ITO材料施加可调节的电场。