1.一种低噪声跨阻放大器，包括主放大器、辅助放大器和跨阻，其特征在于：所述主放大器和辅助放大器均采用共源共栅结构，主放大器的共源场效应管的漏极接辅助放大器的输入端，辅助放大器的输出端反馈至主放大器共栅场效应管的栅极；所述跨阻放大器还包括两个电流源，分别注入电流至所述主放大器和辅助放大器的共源场效应管的漏极；所述跨阻放大器还包括用于降低输出阻抗的源极跟随器，源极跟随器的输入端接主放大器的输出端，源极跟随器输出端为所述跨阻放大器的信号输出端；所述源极跟随器包括第三NMOS管、第四NMOS管和第二电阻；第四NMOS管的源极接地，其栅极接电源(VG4)，其漏极接第二电阻的一端，第二电阻的另一端接第三NMOS管的源极，第三NMOS管的漏极接电源；跨阻跨接在电流信号输入端和第四NMOS管的漏极之间；该结构中第三NMOS管的栅极为所述源极跟随器的输入端，第三NMOS管的源极为所述源极跟随器输出端；通过控制源极跟随器中的第四NMOS管的栅极电压来控制流过的电流大小，在输入电流较大时第四NMOS管具有分流作用，保证跨阻放大器不会进入非线性区域。

2.根据权利要求1所述的低噪声跨阻放大器，其特征在于：所述跨阻放大器还包括用于调节过大输入电流信号增益的电流增益控制结构，该结构包括一个NMOS管，该NMOS管的漏极接电流信号输入端，其源极接主放大器共源场效应管的漏极，其栅极接电源(VAGC)。

3.根据权利要求1‑2任一项所述的低噪声跨阻放大器，其特征在于：所述主放大器包括第一NMOS管、第二NMOS管和第一电阻；电流信号输入端接第一NMOS管的栅极，第一NMOS管的源极接地，其漏极接第二NMOS管的源极，第二NMOS管的漏极接第一电阻的一端，第一电阻的另一端接电源；该结构中第二NMOS管的漏极为所述主放大器的输出端。

4.根据权利要求1‑2任一项所述的低噪声跨阻放大器，其特征在于：所述辅助放大器包括第五场效应管、第六场效应管和第三电阻；第五场效应管的源极接地，其漏极接第六场效应管的源极，第六场效应管的栅极接电源(VG6)，其漏极接第三电阻的一端，第三电阻的另一端接电源；该结构中第五场效应管的栅极为所述辅助放大器的输入端，第六场效应管的漏极为所述辅助放大器的输出端。