1.一种高功率LED/LD照明用暖白光高显指荧光陶瓷，其特征在于，其化学式为：(Gd1-x-zLuxCez)3(Al1-yGay)5O12:zCe3+，其中x为Lu3+掺杂Gd3+位的摩尔百分数，y为Ga3+掺杂Al3+位的摩尔百分数，z为Ce3+掺杂Gd3+位的摩尔百分数，0.05≤x≤0.15，0.15≤y≤0.2，0.001≤z≤

0.01。

2.一种权利要求1所述的高功率LED/LD照明用暖白光高显指荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，采用流延法成型和固相烧结，具体包括以下步骤：(1)按照化学式(Gd1-x-zLuxCez)3(Al1-yGay)5O12:zCe3+中各元素的化学计量比分别称取纯

3+

度大于99.9％的氧化铝、氧化钆、氧化镥、氧化镓和氧化铈作为原料粉体，其中x为Lu 掺杂Gd3+位的摩尔百分数，y为Ga3+掺杂Al3+位的摩尔百分数，z为Ce3+掺杂Gd3+位的摩尔百分数，

0.05≤x≤0.15，0.15≤y≤0.2，0.001≤z≤0.01；将原料粉体、烧结助剂、分散剂、球磨介质按一定比例混合，加入磨球在球磨罐中进行第一阶段球磨，球磨转速为120r/min～300r/min，球磨时间为10h～50h；

(2)向第一阶段球磨得到的浆料中加入增塑剂和粘结剂，进行第二阶段球磨，球磨转速为120r/min～250r/min，球磨时间为10h～40h；

(3)将第二阶段球磨得到的浆料进行真空除泡，得到适用于流延成型的低气泡甚至无气泡浆料；

(4)在室温下将除泡后的浆料送入流延机进行成型，膜带速度0.005m/min～10m/min，通过调整刮刀的高度为0.001mm～5mm，得到不同厚度的平整不开裂的高质量流延坯片；

(5)将所述流延坯片通过自定义裁剪、叠层、冷等静压成型，得到相对密度大于等于

58％、不同厚度、无界面的陶瓷素坯；

(6)将上述陶瓷素坯进行排胶处理；

(7)将排胶后的素坯置于氧气气氛中高温烧结，烧结温度为1600℃～1850℃，保温3h～

50h，得到透明陶瓷；

(8)将所制备的透明陶瓷置于空气气氛或者还原气氛中进行退火处理，退火温度为

1000℃～1500℃，退火时间为1h～50h；

(9)将退火处理后的透明陶瓷进行机械抛光加工至陶瓷厚度为0.4mm～2.0mm，得到高功率LED/LD照明用暖白光高显指荧光陶瓷。

3.根据权利要求2所述的高功率LED/LD照明用暖白光高显指荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述烧结助剂为氧化镁、氧化钙、二氧化硅、氧化锆中的一种或多种，烧结助剂添加量为原料粉体总量的0.01wt.％～0.3wt.％；所述分散剂为NP-10、PEI、PEG中的一种或多种，分散剂添加量为原料粉体总量的0.1wt.％～8wt.％；所述球磨介质为无水乙醇和甲基乙基酮按质量比5～15：1混合的混合溶液，球磨介质与原料粉体的质量比为1:2～4；所述磨球为氧化铝球或氧化锆球，磨球与原料粉体的质量比为2～4:1。

4.根据权利要求2或3所述的高功率LED/LD照明用暖白光高显指荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述增塑剂为S160，增塑剂添加量为原料粉体总量的2wt.％～

10wt.％，所述粘结剂为PVB，粘结剂添加量为原料粉体总量的3wt.％～15wt.％。

5.根据权利要求2或3所述的高功率LED/LD照明用暖白光高显指荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述真空除泡步骤中的真空度为10-2Pa～10-5Pa，搅拌速度为200r/min～600r/min，除泡时长0.5min～30min。

6.根据权利要求2或3所述的高功率LED/LD照明用暖白光高显指荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(5)中所述冷等静压保压压力150MPa～250MPa进行冷等静压处理，保压时间200s～500s。

7.根据权利要求2或3所述的高功率LED/LD照明用暖白光高显指荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(6)中所述排胶过程为：以升温速率10℃/h～60℃/h升温至600℃～1100℃，保温6h～24h，进行排胶，按照1℃/min～20℃/min的速率进行降温。

8.根据权利要求2或3所述的高功率LED/LD照明用暖白光高显指荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(6)中所述排胶过程在空气、惰性气体、氮中氢、氧气中的一种气氛中进行。

9.根据权利要求2或3所述的高功率LED/LD照明用暖白光高显指荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(7)中所述烧结时的升温速率为0.05℃/min～4℃/min。

10.权利要求1所述的高功率LED/LD照明用暖白光高显指荧光陶瓷在制备高功率LED/LD照明器件中的应用。