1.一种高性能Si@SnO2@C复合材料的制备方法，其特征在于，通过表面改性处理先在高容量的纳米硅表面引入官能团，接着原位沉积一层均匀的SnO2层，然后通过原位聚合酚醛树脂引入均匀碳层前驱体，通过高温煅烧制备得到高性能多层核壳结构的复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种高性能Si@SnO2@C复合材料的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：（1）在Si纳米材料进行表面改性处理；

（2）改性后的Si纳米颗粒分散在去离子水中超声处理，然后加入硫代乙醇酸、浓盐酸、尿素分别超声处理；最后加入SnCl2，超声分散均匀；设定温度下搅拌；反应结束后抽滤，用水和乙醇轮流洗涤至干净；真空干燥70℃ 2h，得到Si@SnO2结构材料；

（3）按体积比将水和乙醇混合，超声搅拌均匀；然后将上述步骤得到的0.2g Si@SnO2分散于其中超声搅拌20 min；把CTAB、间苯二酚、氨水，加入上述溶液中，超声搅拌30 min；然后将之置于油浴中45 ℃搅拌30 min，把甲醛溶液加入上述用混合溶液中，设定温度下搅拌；抽滤后，用去离子水洗至干净，70 ℃真空干燥3 h；

（4）将步骤（3）的样品在管式炉中惰性气氛下高温煅烧制备得到高性能Si@SnO2@C复合材料。

3.根据权利要求1或2所述的一种高性能Si@SnO2@C复合材料的制备方法，其特征在于，所述的表面改性处理，包括将硅粉进行热氧化改性、化学氧化改性或表面活性剂改性。

4.根据权利要求2所述的一种高性能Si@SnO2@C复合材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中硫代乙醇酸、浓盐酸、尿素，其物质的量浓度范围分别为0.125～0.75mM/mL、0.03～0.3mM/mL、0.018～0.125mM/mL、0.0125～0.0625mM/mL。

5.根据权利要求2所述的一种高性能Si@SnO2@C复合材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）的设定温度下搅拌，温度范围为20～60 ℃，搅拌时间为0.5～72 h。

6.根据权利要求2所述的一种高性能Si@SnO2@C复合材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，水和乙醇的体积比为1/9～5/5；所述CTAB、间苯二酚、氨水，其物质的量浓度范围分别为0.01～0.1 mM/mL、0.008～0.064 mM/mL、0.014～0.168 mM/mL；所述甲醛溶液为间苯二酚物质的量的2～15倍；所述设定温度下搅拌，温度范围为30～60 ℃，搅拌时间为2～24 h。

7.根据权利要求2所述的一种高性能Si@SnO2@C复合材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中的惰性气氛下高温煅烧具体条件为：在惰性气氛下500～900 ℃进行，惰性气氛为Ar、Ar/H2混合气或He。

8.根据权利要求1或2所述的一种高性能Si@SnO2@C复合材料的制备方法，其特征在于，所述复合材料中，硅的量为30～60%，SnO2层厚度约为10～50 nm，碳层厚度为5～30 nm。

9.权利要求1或2所述的制备方法制备得到的高性能Si@SnO2@C复合材料。

10.权利要求9所述的高性能Si@SnO2@C复合材料在钠离子电池方面的应用。