欢迎来到知嘟嘟! 联系电话:13095918853 卖家免费入驻,海量在线求购! 卖家免费入驻,海量在线求购!
知嘟嘟
我要发布
联系电话:13095918853
知嘟嘟经纪人
收藏
专利号: 2018114880359
申请人: 五邑大学
专利类型:发明专利
专利状态:授权未缴费
专利领域: 测量;测试
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
价格&联系人
年费信息
委托购买

摘要:

权利要求书:

1.一种ZnO纳米柱/SnO2薄膜探测器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1)、前驱体溶液的制备,将0.1‑0.3质量份数的氯化亚锡、0.2‑0.6质量份数的醋酸钠、

0.04‑0.8质量份数的氯化锌、0.1‑0.2质量份数的分子量为2000‑6000的聚乙二醇,20‑40体积份数的乙二醇混合,在温度为60‑80℃下使用磁力搅拌机搅拌60‑120min,使SnCl2、ZnCl2和聚乙二醇完全溶解到乙二醇当中,获得均匀混合的前驱体溶液;

S2)、前驱体薄膜的制备,将干净的衬底放到加热垫板上,在温度为200‑300℃的条件下,使用喷枪在衬底上均匀喷涂20‑40s,获得前驱体薄膜;

S3)、高温烧结,将步骤S2)制备的前驱体薄膜转移到箱式炉当中,以每分钟5‑10℃的升温速率加热至500‑900℃,并保温60‑120min,然后自然降温到室温;在快速升温过程中,氯化亚锡、ZnCl2与醋酸钠一起反应,分解成SnO2、ZnO、氯化氢、水、二氧化碳,氯化氢、水、二氧化碳挥发出来形成孔洞;由于ZnCl2速率较快,因而形成了长度较短的纳米柱,经过高温煅烧,获得了ZnO纳米柱嵌入SnO2的复合薄膜;

在制备电极前,采用喷金仪喷涂5‑15s,在复合薄膜上生长2‑20nm的Pt量子点;

S4)、制备电极,使用掩膜板和电子束蒸发在复合薄膜上蒸镀刷形金属电极,之后,在

300‑400℃下进行合金化处理,改善电极和复合薄膜的接触特性,由此获得结构完整的ZnO纳米柱/SnO2薄膜探测器;

所述的ZnO纳米柱/SnO2薄膜探测器能够同时对乙醇、氢气、丙酮、CO气体进行探测,探测极限为5‑10ppm。

2.根据权利要求1所述的一种ZnO纳米柱/SnO2薄膜探测器的制备方法,其特征在于:步骤S2)中,所述的衬底为蓝宝石、硅片、金属、玻璃、石英中的任意一种,衬底尺寸为2cm×

2cm‑8cm×8cm。

3.根据权利要求1所述的一种ZnO纳米柱/SnO2薄膜探测器的制备方法,其特征在于:所述的探测器从下至上依次包括衬底层、SnO2薄膜层、嵌入SnO2薄膜层的ZnO纳米柱,以及包覆在SnO2薄膜层、ZnO纳米柱上的Pt量子点和设置在两端的电极。

4.根据权利要求3所述的一种ZnO纳米柱/SnO2薄膜探测器的制备方法,其特征在于:所述的ZnO纳米柱/SnO2薄膜探测器的响应时间为5‑10s。

5.根据权利要求4所述的一种ZnO纳米柱/SnO2薄膜探测器的制备方法,其特征在于:所述的ZnO纳米柱/SnO2薄膜探测器对紫外光的探测小于250nm。

6.根据权利要求3所述的一种ZnO纳米柱/SnO2薄膜探测器的制备方法,其特征在于:所述的ZnO纳米柱的直径为300‑360nm。

7.根据权利要求3所述的一种ZnO纳米柱/SnO2薄膜探测器的制备方法,其特征在于:所述的SnO2薄膜层的厚度为500‑5500nm。