1.一种掺杂TiO2阻挡层薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)通过物理气相沉积法在基底上制备钛合金薄膜，然后将制得的钛合金薄膜在有氧气氛中进行热氧化反应；所述钛合金薄膜由钛和镍组成；钛和镍的质量比为95～99:5～1；

2)将步骤1)中热氧化反应后的薄膜在80～100℃的四氯化钛溶液中进行浸泡，即得；所述四氯化钛溶液为四氯化钛的水溶液，水溶液中四氯化钛的摩尔浓度为0.03～0.08mol/L。

2.根据权利要求1所述的掺杂TiO2阻挡层薄膜的制备方法，其特征在于：所述热氧化反应是在400～600℃下氧化0.5～2.0h。

3.根据权利要求1～2中任意一项所述的掺杂TiO2阻挡层薄膜的制备方法，其特征在于：所述物理气相沉积法为磁控溅射法。

4.根据权利要求3所述的掺杂TiO2阻挡层薄膜的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射法为直流磁控溅射。

5.根据权利要求4所述的掺杂TiO2阻挡层薄膜的制备方法，其特征在于：所述直流磁控溅射的溅射控制条件包括：基底温度为15～30℃，溅射功率为100～150W，工作气压为0.5～

0.6Pa，溅射时间为5～30min。

6.根据权利要求3所述的掺杂TiO2阻挡层薄膜的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射法采用的靶材为钛合金靶材；所述钛合金靶材为含镍1％～5％质量分数的钛镍合金。

7.根据权利要求1所述的掺杂TiO2阻挡层薄膜的制备方法，其特征在于：所述有氧气氛由氮气、惰性气体中的至少一种与氧气组成；所述氧气占所述有氧气氛的体积分数为20～

90％。

8.一种由权利要求1所述的掺杂TiO2阻挡层薄膜的制备方法制得的掺杂TiO2阻挡层薄膜。