1.一种制备大面积高质量石墨烯的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将金属衬底置于卧式化学气相沉积系统的生长腔中，并密封生长腔；

2)打开真空泵，将生长腔内的压强抽至0.05Pa以下；

3)通入一定流量的高纯氢气，并打开加热电源，将生长腔中衬底加热至1000℃～1075℃；

4)当温度达到生长温度后，通入一定流量的碳氢化合物前驱体和惰性气体，并调节氢气的流量，使生长腔中的压强保持在10Pa～105Pa范围内；

5)通过传动系统，将金属衬底一端缓慢拉入遮挡区域，诱导石墨烯在金属衬底上形核并缓慢生长；

6)继续缓慢拖动金属衬底，使金属衬底各部依次缓慢通过遮挡区域，促使石墨烯生长界面定向推向金属衬底末段，最终长满整个金属衬底，形成石墨烯/金属衬底；

7)生长结束后，关闭化学气相沉积系统的加热电源，关闭氢气和碳氢化合物流量计，使石墨烯/金属衬底随炉冷却至室温；

8)待生长腔内温度降至室温后，取出石墨烯/金属衬底，获得大面积高质量的石墨烯样品。

2.根据权利要求1所述的一种制备大面积高质量石墨烯的方法，其特征在于，步骤1中使用的金属衬底为金属元素的纯度大于90％的金属衬底；步骤1中使用的金属衬底为铜箔、氧化亚铜或氧化铜箔；步骤1中使用的金属衬底具有三角形尖端；步骤1中使用的生长腔中有一遮挡区域；步骤1中的金属衬底位于可以移动托板上，移动托板通过一端圆孔与传动系统相连。

3.根据权利要求1所述的一种制备大面积高质量石墨烯的方法，其特征在于，步骤3中高纯氢气的流量控制在2.5～500sccm范围内；步骤3中调控压强控制阀，使生长腔内总压强控制在0.5～105Pa范围内；步骤3中生长腔的加热速率控制在300～3000℃/h。

4.根据权利要求1所述的一种制备大面积高质量石墨烯的方法，其特征在于，步骤4中通入的碳氢化合物的流量控制在0.1～50sccm；通入的惰性气体采用N2、Ar、He或Ne中的一种，惰性气体的流量控制在2.5～500sccm范围内；步骤4中调控压强控制阀，使生长腔内总压强控制在0.5～105Pa范围内。

5.根据权利要求1所述的一种制备大面积高质量石墨烯的方法，其特征在于，步骤5中传动系统拖动金属衬底的速度在0.6～3cm/h；步骤5中遮挡区域的宽度为0.5～3cm。

6.根据权利要求1所述的一种制备大面积高质量石墨烯的方法，其特征在于，步骤6中遮挡区域的遮挡材料为耐高温非挥发性材料，采用钨箔；步骤6中前驱体的浓度逐渐提高；

金属衬底移动的速率为0.6～3.0cm/h；CH4的流量为0.1～50sccm。

7.根据权利要求1所述的一种制备大面积高质量石墨烯的方法，其特征在于，步骤7中关闭化学气相沉积系统的加热电源后，让石墨烯/金属衬底样品随炉冷却，并保持惰性气体、氢气、碳氢化合物流量保持不变；步骤7中石墨烯/金属衬底样品随炉冷却至400℃以下时，关闭氢气和碳氢化合物流量计，并保持惰性气体流量不变至室温。