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专利号: 2018115127253
申请人: 闽江学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 光学
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种硫酸二氟锑铯非线性光学晶体,其特征在于:所述晶体的分子式为CsSbSO4F2,分子量为388.72,属于正交晶系,空间群为Pna21,晶胞参数为:a=9.9051(5) Å,b=11.6070(8) Å,c=5.2822(3) Å,V=607.29(6) Å3。

2.一种如权利要求1所述的硫酸二氟锑铯非线性光学晶体的制备方法,其特征在于:所述晶体是采用室温溶液法制备的,具体包括以下步骤:(1)将三氟化锑和硫酸铯置于研钵中研磨均匀得到混合粉末;

(2)将质量分数为98%浓硫酸H2SO4稀释得到稀硫酸溶液,取10 mL的稀硫酸溶液并转移倒入50 mL的烧杯中,将步骤(1)的混合粉末缓慢加入到上述烧杯中并加热至30 60 ℃,在~磁力搅拌直至溶液澄清;

(3)将步骤(2)的烧杯用称量纸或保鲜膜封口,并在称量纸或保鲜膜上扎取若干小孔,在室温中静置3 4周;

~

(4)待溶液在烧杯底部析出针状的晶体颗粒,直至晶体颗粒大小不再明显生长,即得到CsSbSO4F2非线性光学晶体。

3.根据权利要求2所述的硫酸二氟锑铯非线性光学晶体的制备方法,其特征在于:步骤(1)中的三氟化锑和硫酸铯的摩尔比为1:1。

4.根据权利要求2所述的硫酸二氟锑铯非线性光学晶体的制备方法,其特征在于:步骤(2)中稀硫酸溶液的质量分数为5%-15%。

5.一种如权利要求1所述的硫酸二氟锑铯非线性光学晶体在制备倍频发生器、二次谐波发生器、上下频率转换器、光参量振荡器、激光致盲武器以及光计算和光纤通讯的非线性光学器件中的应用。