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专利号: 2018115207826
申请人: 重庆交通大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 工程元件或部件;为产生和保持机器或设备的有效运行的一般措施;一般绝热
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.变解耦膜刚度混合模式磁流变隔振器,其特征在于:包括用于容纳磁流变液且顶端开口的壳体和封堵于壳体开口端处的橡胶主簧,所述壳体内设置有橡胶底膜、磁芯组件以及解耦膜组件,所述解耦膜组件包括解耦膜和底座,所述底座上开设有用于放置解耦膜的凹槽,所述凹槽的底部设置有节流孔,所述解耦膜组件设置在壳体内并将壳体的内腔分隔成上腔与下腔,所述橡胶底膜位于下腔内,所述磁芯组件位于上腔内,所述磁芯组件包括外磁芯、内磁芯、设置于外磁芯和/或内磁芯上的励磁线圈,所述内磁芯固定设置在橡胶主簧的内侧顶部,所述外磁芯固定设置在壳体内并与内磁芯之间配合形成用于将上腔与下腔连通的锥形的阻尼通道;所述内磁芯为上大下小的锥台形,所述外磁芯上设置有与所述内磁芯配合的锥形通孔。

2.根据权利要求1所述的变解耦膜刚度混合模式磁流变隔振器,其特征在于:所述节流孔的下方设置有芯柱,所述芯柱的上端设置为与节流孔配合的锥形结构,所述芯柱以可上下移动的方式设置在壳体的底部,通过芯柱的上下移动可改变节流孔的开度。

3.根据权利要求2所述的变解耦膜刚度混合模式磁流变隔振器,其特征在于:所述芯柱的下端穿过壳体并与壳体的底部螺纹连接。

4.根据权利要求3所述的变解耦膜刚度混合模式磁流变隔振器,其特征在于:所述芯柱的下端设置有用于芯柱上行限位的限位结构。

5.根据权利要求3所述的变解耦膜刚度混合模式磁流变隔振器,其特征在于:壳体内侧的底部向上一体成型有凸台,所述橡胶底膜固定设置在凸台和壳体的内壁之间,所述凸台的中心开孔,形成用于所述芯柱导向的导向通道。

6.根据权利要求3所述的变解耦膜刚度混合模式磁流变隔振器,其特征在于:所述芯柱上设置有用于记录芯柱移动位置的刻度尺。

7.根据权利要求1所述的变解耦膜刚度混合模式磁流变隔振器,其特征在于:所述外磁芯的外表面设置有环槽,所述励磁线圈缠绕在所述环槽内。

8.根据权利要求1所述的变解耦膜刚度混合模式磁流变隔振器,其特征在于:在所述外磁芯和内磁芯两者的非配合表面上均固定设置有隔磁层。

9.根据权利要求1所述的变解耦膜刚度混合模式磁流变隔振器,其特征在于:所述解耦膜的外缘通过外磁芯压紧于底座。