1.一种基于聚合物前驱体陶瓷的高温压力传感器,其特征在于,包括从上到下依次设置的上压层(3)、中间层(1)和下压层(4);上压层(3)和下压层(4)外表面均喷涂有铂层;上压层(3)和下压层(4)的上方和下方均接触设置有金属导电层(5);上压层(3)、中间层(1)和下压层(4)外设置在封装壳(6)内;中间层(1)上表面向上延伸出封装壳(6)形成压头(2);上压层(3)对应导电层和下压层(4)对应导电层中均外接导线(7);所述中间层(1)和压头(2)为氧化锆制备;上压层(3)、下压层(4)和封装壳(6)均为聚合物前驱体陶瓷制备。
2.根据权利要求1所述的一种基于聚合物前驱体陶瓷的高温压力传感器,其特征在于,所述聚合物前驱体陶瓷制备方法如下:步骤1:在聚碳硅氮烷前驱体溶液中加入4wt%的过氧化二异丙苯,充分混合;
步骤2:在高纯氮气条件下在150℃条件下保温1h,然后在350℃条件下保温2h;
步骤3:将步骤2得到的材料球磨、造粒后压制成型,然后在300MPa下冷等静压得到样品;
步骤4:将步骤3得到的样品在900℃条件下裂解,得到陶瓷A;
步骤5:将步骤4得到的陶瓷进入溶解4wt%过氧化二异丙苯的前驱体溶液中,真空浸渍
30min,在150℃条件下保温1h,在350℃条件下保温2h,然后在900℃条件下裂解;
步骤6:重复步骤2~5n次后,得到陶瓷B;
步骤7:将陶瓷B在1400℃条件下裂解得到所需聚合物前驱体陶瓷。
3.根据权利要求1所述的一种基于聚合物前驱体陶瓷的高温压力传感器,其特征在于,所述聚合物前驱体陶瓷制备方法如下:步骤1:在聚碳硅氮烷前驱体溶液中加入5wt%的光固化剂,在60℃条件下磁力搅拌
0.5h,然后脱泡;
步骤2:将步骤1得到的溶液进行光固化;
步骤3:将步骤2固化得到的固体在150℃条件下保温1h,然后在350℃条件下保温2h;然后在1400℃条件下裂解得到所需聚合物前驱体陶瓷。
4.根据权利要求2或3所述的一种基于聚合物前驱体陶瓷的高温压力传感器,其特征在于,所述前驱体为聚碳硅氮烷,其结构如下:式中:Me为甲基,Vi为乙烯基。