1.一种垂直结构的LED外延片的制备方法，其特征在于，包括：在清洗后的金属衬底表面蒸镀金属层；

将清洗后的所述金属衬底放置在MOCVD反应室中，以利用MOCVD法得到垂直结构的LED外延片：在清洗后的所述金属衬底表面生长GaN成核层；

将生长有所述GaN成核层的所述金属衬底从MOCVD反应室取出，并放置在HVPE反应室内，在所述GaN成核层表面生长P型纳米线层，并在所述P型纳米线层表面生长P型纳米线融合层；

将生长有所述P型纳米线融合层的金属衬底从所述HVPE反应室内取出，并放置在所述MOCVD反应室内，并在所述GaN成核层表面生长P型GaN层；

在所述P型GaN层表面生长GaN阻挡层，并在所述GaN阻挡层表面生长多量子阱层；

在所述多量子阱层上生长N型GaN层，以得到垂直结构的LED外延片。

2.根据权利要求1所述的垂直结构的LED外延片的制备方法，其特征在于，在所述GaN阻挡层表面生长InGaN/GaN多量子阱层，包括：在所述GaN阻挡层表面生长多周期结构的InGaN/GaN多量子阱层。

3.一种垂直结构的LED外延片，其特征在于，包括金属衬底、及依次设置在所述金属衬底上的GaN成核层、P型GaN层、GaN阻挡层、多量子阱层、N型GaN层；

还包括：

设置在所述金属衬底与所述GaN成核层之间的金属层、设置在所述GaN成核层及所述P型GaN层之间的P型纳米线层、及设置在所述P型纳米线层及所述P型GaN层之间的P型纳米线融合层。

4.根据权利要求3所述的垂直结构的LED外延片，其特征在于，所述金属层为镍层。

5.根据权利要求3所述的垂直结构的LED外延片，其特征在于，所述金属衬底为钼衬底。

6.一种垂直结构的LED芯片，其特征在于，包括如权利要求3至5任一项所述的垂直结构的LED外延片。