1.一种LED外延片，其特征在于，包括金属衬底、设置在所述金属衬底表面的GaN成核层、设置在所述GaN成核层表面的N型GaN层、设置在所述N型GaN层表面的多量子阱层、设置在所述多量子阱层表面的GaN阻挡层、设置在所述GaN阻挡层表面的P型GaN层。

2.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，还包括设置在所述金属衬底与所述GaN成核层之间的金属层、设置在所述GaN成核层表面的N型GaN纳米线层、及设置在所述N型GaN纳米线层且与所述N型GaN层相接触的N型GaN纳米线融合层。

3.根据权利要求2所述的LED外延片，其特征在于，所述金属层为镍层。

4.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述金属衬底为钼衬底。

5.根据权利要求1至4任一项所述的LED外延片，其特征在于，所述多量子阱层为InGaN/GaN多量子阱层。

6.根据权利要求5所述的LED外延片，其特征在于，在所述InGaN/GaN多量子阱层中，InGaN的组分比例为15％，GaN的组分比例为85％。

7.根据权利要求6所述的LED外延片，其特征在于，所述InGaN/GaN多量子阱层为5周期结构，每个周期结构包括InGaN层、及GaN层。

8.一种LED芯片，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的LED外延片。

9.一种LED外延片的制备方法，其特征在于，包括：

在清洗后的金属衬底表面生长GaN成核层，并在所述GaN成核层的表面生长N型GaN层；

在所述N型GaN层的表面生长多量子阱层，并在所述多量子阱层表面生长GaN阻挡层；

在所述GaN阻挡层表面生长P型GaN层，以制备LED外延片。

10.根据权利要求9所述的LED外延片的制备方法，其特征在于，在清洗后的金属衬底表面生长GaN成核层之前，还包括：在清洗后的所述金属衬底表面蒸镀金属层；

在清洗后的金属衬底表面生长GaN成核层之后，还包括：

在所述GaN成核层表面生长N型GaN纳米线层，并在所述N型GaN纳米线层表面生长N型GaN纳米线融合层。