1.一种深紫外LED外延片的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上生长AlGaN缓冲层，并在所述AlGaN缓冲层上生长N型AlGaN层；

在所述N型AlGaN层上生长Al组分渐变的N型AlGaN层，并在所述Al组分渐变的N型AlGaN层上生长Al0.5Ga0.5N/Al0.15Ga0.85N有源区；

在所述Al0.5Ga0.5N/Al0.15Ga0.85N有源区上生长AlGaN阻挡层，并在所述AlGaN阻挡层上生长P型GaN层，以制备深紫外LED外延片。

2.根据权利要求1所述的深紫外LED外延片的制备方法，其特征在于，在衬底上生长AlGaN缓冲层之前，还包括：将所述衬底放置在MOCVD反应室内，以利用MOCVD法制备所述深紫外LED外延片。

3.根据权利要求2所述的深紫外LED外延片的制备方法，其特征在于，在利用MOCVD法制备所述深紫外LED外延片时，所用Ga源为三甲基镓，Al源为三甲基铝，氮源为氨气，载气为氢气，N型掺杂源为硅烷，P型掺杂源为二茂镁。

4.一种深紫外LED外延片，其特征在于，包括衬底、及从下至上依次位于所述衬底上的AlGaN缓冲层、N型AlGaN层、Al组分渐变的N型AlGaN层、Al0.5Ga0.5N/Al0.15Ga0.85N有源区、AlGaN阻挡层、P型GaN层。

5.根据权利要求4所述的深紫外LED外延片，其特征在于，所述Al组分渐变的N型AlGaN层包括10层AlGaN层，第一层与第十层均为Al0.65Ga0.35N层，第二层至第九层为AlxGa1-xN层，

0.2≤x≤0.4，其中，第二层到第五层中的x逐渐减小，第五层与第六层中的x相等，第六层到第九层中的x逐渐增大。

6.根据权利要求5所述的深紫外LED外延片，其特征在于，所述Al组分渐变的N型AlGaN层中的掺杂浓度为3×1018cm-3。

7.根据权利要求4所述的深紫外LED外延片，其特征在于，所述Al0.5Ga0.5N/Al0.15Ga0.85N有源区为5周期结构，每一周期结构包括Al0.5Ga0.5N量子垒层、及Al0.15Ga0.85N量子阱层。

8.根据权利要求4所述的深紫外LED外延片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。

9.根据权利要求8所述的深紫外LED外延片，其特征在于，所述蓝宝石衬底为c面蓝宝石衬底。

10.一种深紫外LED芯片，其特征在于，包括如权利要求4至9任一项所述的深紫外LED外延片。